[发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210383005.8 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730343A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于，包括：
a）提供半导体衬底；
b）在所述半导体衬底上形成具有开口的覆盖层，所述开口暴露所述半导体衬底的第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述第二区域的两侧，且所述第一区域对应于栅极与源极和漏极的重叠区域；
c）在所述半导体衬底上的所述第一区域和所述第二区域形成第一栅氧化物层；
d）去除所述第二区域上的所述第一栅氧化物层；以及
e）在所述第二区域上形成第二栅氧化物层，所述第二栅氧化物层的厚度小于所述第一栅氧化物层的厚度。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述覆盖层包括形成在所述半导体衬底上的氧化物层和形成在所述氧化物层上的氮化物层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度小于或等于所述第一栅氧化物层的厚度，且大于或等于所述第二栅氧化物层的厚度。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述d）步骤包括：
在所述覆盖层上、所述第一栅氧化物层上以及所述开口的侧壁上形成第一多晶硅层；以及
采用干法刻蚀工艺对所述第一多晶硅层和所述第一栅氧化物层进行刻蚀，以在所述开口的侧壁上形成第一间隙壁，所述第一间隙壁覆盖所述第一区域并暴露所述第二区域。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述方法在所述e）步骤之后还包括：
在所述半导体衬底上形成填满所述开口的剩余部分的第二多晶硅层；
去除所述覆盖层，以形成所述栅极。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述栅极之后还包括：
执行浅掺杂离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述半导体衬底中形成浅掺杂区；
在所述栅极两侧形成第二间隙壁；
执行源漏极离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述半导体衬底中形成所述源极和所述漏极。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层是采用热氧化法形成的。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅氧化物层的厚度为30埃-500埃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅氧化物层的厚度为20埃-200埃。
10.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构是采用权利要求1-9中任一种所述的方法形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
