[发明专利]CdTe@SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法

说明书

  

技术领域

本发明属纳米材料、分子印迹技术和生物分析检测领域，具体涉及一种CdTeSiO₂量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法。 

背景技术

中枢神经系统（central nervous system，CNS）控制人类的意识、心理、思维活动及具体行为，是人类所有活动的指挥中心，因此，与CNS相关的疾病对病人的工作和生活产生极大的影响。近年来，CNS疾病的发病率呈逐年上升趋势,发病机制一般都与神经元分泌神经递质的功能紊乱有密切关系：如5-羟色胺和去甲肾上腺素含量减少，可导致抑郁症；谷氨酸、天门冬氨酸、甘氨酸及g-氨基丁酸含量变化可诱发癫痫、舞蹈病等多种神经系统疾病，因此，神经递质释放研究是神经科学中极其重要的前沿领域。由于神经递质一般含量非常低，且取样量受限制，导致定量测定的难度较大，因而如何能够准确测定神经递质的含量是神经递质释放研究的重点和难点之一。目前国内外测定神经递质时，通常采用色谱分离，电化学、荧光或质谱检测。这些方法虽然比较成熟，但存在许多缺点。如色谱分离耗时长、电化学检测重现性较差、荧光检测需预先衍生化、质谱检测需要昂贵的仪器等，且以上仪器操作也比较复杂。更重要的是，以上方法均没有可视性，不能通过人眼直接观察神经元释放神经递质的动态实时变化，而这却是神经细胞的信号传导和神经疾病研究中迫切需要的。因此，探索一种新的神经递质测定方法将是一项极具实际意义的研究。 

近年来，量子点、分子印迹聚合物等新型材料制备技术的飞速发展，为研究新的、便捷经济的、可视化的神经递质测定方法带来契机。 

量子点（quantum dots, QDs）是一种由Ⅱ－Ⅵ族（如CdS、CdSe）或Ⅲ－Ⅴ族（如InP、InAs）元素组成的、直径约为1～100 nm、能够接受激发光产生荧光的半导体纳米颗粒。与传统的有机荧光染料相比，QDs具有激发谱带宽、发射谱带窄、峰型对称、荧光量子产率高、光稳定性好等特点。近几年来，QDs在新型荧光探针方面的研究取得了重大进展，显示了巨大的应用价值和开发潜力（Q. J. Sun, Y. A. Wang, et al. Nat. Photonics, 2007 (1) : 717-722）。 

QDs定量的原理与传统的荧光探针类似：将被测物引入QDs表面，由于引入的分析对象与QDs发生物理、化学作用，引起能量或电子转移，使QDs荧光强度发生变化，根据荧光强度的变化量可实现对分析对象的含量测定。因此，为获得准确的分析结果，要尽量避免QDs表面的非选择性结合。为了提高QDs分析的选择性，有人巧妙地在QDs表面合成分子印迹聚合物，从而实现了高选择性分析。 

分子印迹聚合物（molecularly imprinted polymer, MIP）是利用仿生的分子印迹技术制备的一种具有分子识别能力的新型高分子材料。其制备过程是：首先模板分子（目标分子）与功能单体通过共价键或非共价键结合形成复合物，然后加入交联剂进行共聚形成聚合物，之后洗去模板分子，这样，在聚合物中就留下与模板分子大小、形状、功能团互补的孔穴。MIP对模板分子具有专一的识别作用，因此，分子印迹聚合物也称为人工抗体。 

Lin等最先尝试了在 CdSe/ZnS 表面进行了分子印迹（C. I. Lin, A. K. Joseph, et al. Biosensors and Bioelectronics, 2004, 20: 127-131）。Zhang等在CdTe量子点表面印迹细胞毒素C，试验结果表明，CdTe量子点表面印迹后，当和细胞毒素C结合时发生了荧光猝灭，且其猝灭程度与细胞毒素C的浓度有关，合成的QDs-MIP可用于生物样品中细胞毒素C的测定（W. Zhang, X. W. He, et al. Biosensors and Bioelectronics, 2011, 26: 2553-2558）。 

目前，国内外在QDs表面进行分子印迹的工作尚处在起步阶段，还未见有应用QDs结合分子印迹技术测定神经递质的报道。 

发明内容