[发明专利]具有非正交元件的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段；

第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段；以及

互连结构，从所述第一栅极结构区段延伸到所述第四栅极结构区段，其中，所述互连结构设置在所述第一栅极结构区段和所述第四栅极结构区段之上。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述互连结构包括：

第一部分，设置在所述第一栅极结构区段上；

第二部分，设置在所述第四栅极结构区段上，其中，所述第一部分和所述第二部分基本平行；以及

第三部分，连接所述第一部分和所述第二部分，其中，所述第三部分基本垂直于所述第一部分和所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

与所述互连结构共面的接触插塞。

4.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

间隔元件，形成在所述第一栅极结构区段和所述第四栅极结构区段的侧壁上，其中，所述互连结构设置在所述间隔元件的顶面上。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一栅极结构区段相对于所述第三栅极结构区段非正交，使得从所述第一栅极结构区段的第一端到所述第三栅极结构区段的第一端绘制的假想线相对于所述第一栅极结构区段的侧壁非正交。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一栅极结构，设置在所述衬底上；

第二栅极结构，设置在所述衬底上与所述第一栅极结构相邻并且平行于所述第一栅极结构，其中，所述第一栅极结构相对于所述第二栅极结构非正交地设置；

第三栅极结构，与所述第一栅极结构对准并且与所述第一栅极结构相距第一距离，其中，所述第三栅极结构平行于所述第二栅极结构；以及

互连结构，位于所述第二栅极结构和所述第三栅极结构之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构相对于所述第二栅极结构非正交，使得从所述第一栅极结构的第一端到所述第二栅极结构的第一端绘制的假想线相对于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的至少一个的侧壁非正交。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构的第一端相对于所述第一栅极结构的侧壁非正交。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

第四栅极结构，与所述第二栅极结构对准并且与所述第二栅极结构相距第二距离。

10.一种半导体制造的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；以及

同时切割所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构被切割以形成第一区段和第二区段，并且所述第二栅极结构被切割以形成第三区段和第四区段，其中，切割包括执行所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的倾斜切割。