[发明专利]或逻辑电路和芯片有效
| 申请号： | 201210381386.6 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102891679A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 黄如;张耀凯;蔡一茂;陈诚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 逻辑电路 芯片 | ||
1.一种或逻辑电路，其特征在于，包括：阻变忆阻器阵列和比较器；
所述阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使所述同一列阻变忆阻器的正相输入端作为所述或逻辑电路的信号输入端或辅助信号输入端，所述辅助信号输入端工作时连接到高电平；
所述阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个所述比较器的输入端相连接，以使所述比较器的输出端作为所述或逻辑电路的信号输出端；
所述比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，所述比较器的输出端输出高电平，所述比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，所述比较器的输出端输出低电平。
2.如权利要求1所述的或逻辑电路，其特征在于，两个所述信号输入端和一个所述辅助信号输入端作为一组，以使同一组的两个所述信号输入端用于接收两个数字输入信号的同一位。
3.如权利要求1或2所述的或逻辑电路，其特征在于，所述阻变忆阻器的阻态包括：高阻值阻态和低阻值阻态；
所述阻变忆阻器阵列中同一行的阻变忆阻器中有三个处于低阻值阻态的阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器阵列中同一列的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器。
4.如权利要求1所述的或逻辑电路，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：单极型阻变忆阻器或双极型阻变忆阻器。
5.如权利要求1所述的或逻辑电路，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：阻变存储器RRAM或相变存储器PRAM或铁电存储器FRAM或磁存储器MRAM。
6.一种芯片，其特征在于，包括：顶电极金属条、底电极金属条和或逻辑电路；
所述或逻辑电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；
所述阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端通过所述顶电极金属条相连接，以使所述同一列阻变忆阻器的正相输入端作为所述或逻辑电路的信号输入端或辅助信号输入端，所述辅助信号输入端工作时连接到高电平；
所述阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端通过所述底电极金属条与一个所述比较器的输入端相连接，以使所述比较器的输出端作为所述或逻辑电路的信号输出端；
所述比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，所述比较器的输出端输出高电平，所述比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，所述比较器的输出端输出低电平。
7.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，两个所述信号输入端和一个所述辅助信号输入端作为一组，以使同一组的两个所述信号输入端用于接收两个数字输入信号的同一位。
8.如权利要求6或7所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器的阻态包括：高阻值阻态和低阻值阻态；
所述阻变忆阻器阵列中同一行的阻变忆阻器中有三个处于低阻值阻态的阻变忆阻器；以及，所述阻变忆阻器阵列中同一列的阻变忆阻器中有一个处于低阻值阻态的阻变忆阻器。
9.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：单极型阻变忆阻器或双极型阻变忆阻器。
10.如权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述阻变忆阻器包括：阻变存储器RRAM或相变存储器PRAM或铁电存储器FRAM或磁存储器MRAM。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210381386.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于从烟草生产叶黄素的方法
- 下一篇：咖啡油囊
