[发明专利]半导体基底、晶体管和鳍部的形成方法

权利要求书

1.一种半导体基底的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括第一半导体层、第二半导体层和位于第一半导体层和第二半导体层之间的绝缘层；

在所述第二半导体层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第二半导体层表面的第一开口；

沿第一开口刻蚀去除部分的所述第二半导体层，形成暴露绝缘层表面的第二开口；

在剩余的第二半导体层的侧壁和部分绝缘层的表面形成隔离层；

以所述隔离层为掩膜，刻蚀去除部分的所述绝缘层，形成暴露第一半导体层表面的第三开口；

采用选择外延工艺在第三开口和第二开口内填充满半导体材料，形成第三半导体层，第三半导体层的材料与第一半导体层的材料相同。

2.如权利要求1所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层与第二半导体层的材料不相同。

3.如权利要求2所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层或第二半导体层的材料为单晶硅、单晶锗、硅锗或碳化硅中的一种。

4.如权利要求1所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，第一半导体层和第二半导体层的材料相同，且第一半导体层与第二半导体层的晶向不相同。

5.如权利要求1所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层与第二半导体层的应力类型不相同。

6.如权利要求2或4或5所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述第三半导体层的晶向与第一半导体层的晶向相同。

7.如权利要求2或4或5所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述第三半导体层的应力类型与第一半导体层的应力类型相同。

8.如权利要求1所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成过程为：在所述第二开口内填充满隔离材料层；在所述隔离材料层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有暴露所述部分所述隔离材料层表面的第四开口；沿第四开口刻蚀去除部分的所述隔离材料层，在剩余的第二半导体层的侧壁和部分绝缘层的表面形成隔离层。

9.如权利要求8所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氮碳氧化硅。

10.如权利要求8所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述隔离层的宽度大于20纳米。

11.如权利要求1所述的半导体基底的形成方法，其特征在于，所述隔离层形成过程为：对第二开口暴露的剩余的第二半导体层的侧壁进行热氧化工艺，在剩余的第二半导体层的侧壁和部分绝缘层的表面形成氧化层，所述氧化层作为隔离层。

12.一种半导体基底，其特征在于，包括：

第一半导体层；

位于部分第一半导体层表面的第三半导体层，第三半导体层的材料与第一半导体层的材料相同；

位于剩余的部分第一半导体层表面的绝缘层；

位于第三半导体层的侧壁和部分绝缘层表面的隔离层；

位于剩余的绝缘层表面的第二半导体层。

13.如权利要求12所述的半导体基底，其特征在于，所述第一半导体层与第二半导体层的材料不相同。

14.如权利要求12所述的半导体基底，其特征在于，第一半导体层和第二半导体层的材料相同，且第一半导体层与第二半导体层的晶向不相同。

15.如权利要求12所述的半导体基底，其特征在于，所述第一半导体层与第二半导体层的应力类型不相同。

16.如权利要求12所述的半导体基底，其特征在于，所述第三半导体层的晶向和应力类型与第一半导体层的晶向和应力类型相同。

17.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供采用如权利要求1~11任一项所述的半导体基底的形成方法形成的半导体基底；

在所述第二半导体层表面形成第一晶体管的第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的第二半导体层内形成第一晶体管的第一源/漏区；

在所述第三半导体层表面形成第二晶体管的第二栅极结构，在第二栅极结构两侧的第三半导体层内形成第二晶体管的第二源/漏区。