[发明专利]光刻胶成膜树脂及其制备方法有效
| 申请号: | 201210379544.4 | 申请日: | 2012-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN102890418A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
| 发明(设计)人: | 刘陆;薛建设;惠官宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/039;C08F220/36;C08F220/34;C08F232/04;C08F220/06;C08F220/14 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 胶成膜 树脂 及其 制备 方法 | ||
1.一种光刻胶成膜树脂,其特征在于,由式(1)所示的单体A、式(2)所示的单体B和式(3)所示的单体C聚合而成;
其中,所述单体A的物质的量的百分比为20%-60%;所述单体B的物质的量的百分比为20%-60%;所述单体C的物质的量的百分比为10%-60%;所述n为1-10的整数。
2.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂,其特征在于,所述R1-R4各自地选自氢、卤素、羟基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一种;
所述R5-R6各自地选自氢、取代或未取代的烷基和杂环基中的一种。
3.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂,其特征在于,所述R7选自氢、卤素、羟基和C1-C4烷基中的一种。
4.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂,其特征在于,所述R8选自羧基或酯基中的一种。
5.根据权利要求1所述的光刻胶成膜树脂,其特征在于,
所述单体A的物质的量的百分比为25%-40%;
所述单体B的物质的量的百分比为35%-45%;
所述单体C的物质的量的百分比为20%-30%。
6.一种光刻胶成膜树脂的制备方法,其特征在于,包括:
向溶剂中分别混入式(1)所示的单体A、式(2)所示的单体B、式(3)所示的单体C和引发剂,形成第一混合溶液;
以50-90℃的反应温度对所述第一混合溶液进行加热,使所述单体A、所述单体B和所述单体C聚合,反应时间为8-20小时;
对反应后的所述第一混合溶液进行自然冷却,并在甲醇和水的第二混合溶液中析出光刻胶成膜树脂的白色沉淀;
过滤出所述第二混合溶液中的白色沉淀、并进行干燥,获取所述光刻胶成膜树脂;
其中,所述单体A的物质的量的百分比为20%-60%,所述单体B的物质的量的百分比为20%-60%,所述单体C的物质的量的百分比为10%-60%,所述n为1-10的整数。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述R1-R4各自地选自氢、卤素、羟基、取代或未取代的C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、取代或未取代的C1-C4胺基中的一种;
所述R5-R6各自地选自氢、取代或未取代的烷基和杂环基中的一种。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述R7选自氢、卤素、羟基和C1-C4烷基中的一种。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述R8选自羧基或酯基中的一种。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述单体A的物质的量的百分比为25%-40%;所述单体B的物质的量的百分比为35%-45%;所述单体C的物质的量的百分比为20%-30%。
11.根据权利要求6-10任一所述的方法,其特征在于,所述反应温度为80-85℃。
12.根据权利要求6-10任一所述的方法,其特征在于,所述反应时间为12小时。
13.根据权利要求6-10任一所述的方法,其特征在于,所述溶剂为单体总质量的8-12倍。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述溶剂为二氧六环或四氢呋喃。
15.根据权利要求6-10任一所述的方法,其特征在于,所述引发剂为偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰或过硫酸铵。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述引发剂质量为单体总质量的0.6%-1%。
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