[发明专利]纯净金属陶瓷Cr7C3 块体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210378657.2 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN102876951A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 皇志富;孙圣;邢建东;高义民;马胜强;李烨飞 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C22C29/06 分类号: C22C29/06;C22C1/05
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 朱海临
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 纯净 金属陶瓷 cr sub 块体 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种金属陶瓷块体材料的制备方法。

背景技术

Cr7C3是具有正交结构过渡金属碳化物,具有陶瓷的性质。其硬度高、耐磨性好,较好的韧性、很好的抗氧化性和热稳定性等优点,可以应用在低成本钢种的机械零部件表面,改善表面抗磨损性能及抗高温腐蚀。在理论上,国内外学者主要应用第一性原理计算了Cr7C3显微硬度、杨氏模量等力学性能,其结果与试验值相接近。国内学者主要应用等离子覆熔技术在钢铁表面制备一层以Cr7C3为硬质相的复合涂层,涂层组织中除Cr7C3外,还有基体如奥氏体组织等,且这层涂层的厚度较薄,在实际工程应用中仍无法满足高寿命的要求。目前国外学者制备单相Cr7C3主要尝试的方法有:(a)通过热喷涂的方法制备一层Cr7C3薄膜;(b)等离子活化烧结;(c)高温自蔓延反应合成;(d)真空无压烧结;其中(b)方法制得了组织较理想的非纯净的单相Cr7C3块体组织。

伊朗学者S.Sharafi,S.Gomari等人,利用机械球磨与真空(充氩气)无压烧结的方法(烧结温度为1100℃;保温时间为1小时)制备出了块体Cr7C3。该报道中所得到的块体组织除有Cr7C3外,还有Cr2O3相,显然不是纯净单一的Cr7C3化合物块体。

日本学者Ken Hirota等,将Cr与炭黑粉机械湿磨混匀后,用等离子放电烧结制备出了单相块体Cr7C3。其性能如表1所示。虽然主要力学性能指标较理想,但同样也没有获得纯净单一的Cr7C3化合物块体。

表1不同烧结温度下非纯净Cr7C3的主要性能参数

发明内容

本发明的目的在于提供一种韧性较好,耐高温腐蚀的纯净单一的Cr7C3化合物块体的制备工艺。

为达到以上目的,本发明是采用如下技术方案予以实现的:

一种纯净金属陶瓷Cr7C3块体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将纯Cr粉和纯石墨粉按碳化物Cr7C3分子式中原子比和各元素的原子量换算成重量比,称重后装入磨罐中,同时加入不多于Cr粉和石墨粉总重量3%的酚醛树脂,进行抽真空:

(2)将球磨罐放入球磨机中开机转动5-20小时,完成原料混合;

(3)将出罐后的混合物充填到石墨模具中;

(4)将充填混合物的石墨模具放入烧结炉中进行真空热压烧结,烧结温度为1200℃~1500℃;保温10~60分钟;

(5)烧结后的石墨模具随烧结炉一同冷却,取出石墨模具中的烧结体,即得到纯净金属陶瓷Cr7C3块体。

上述方法中,步骤(1)所述的Cr粉和石墨粉的纯度均为99.9%,粒度均≤200μm。酚醛树脂的加入量为Cr粉和石墨粉总重量的0.5-3%。

步骤(1)所述的抽真空,真空度≤10-1Pa)。

步骤(4)所述真空热压烧结,其工艺参数为:真空度≤10-1Pa;升温速度5-10℃/秒;压力0-150Mpa。

本发明的优点是,制备过程简单,所得到的纯净单一的Cr7C3化合物块体相对密度较高,主要力学性能指标较优良,不仅适用耐磨领域场合,且还可以用于耐蚀领域,以及耐磨、耐蚀交互领域。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。

实施例1

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