[发明专利]一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法

权利要求书

1.一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形；所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的；

⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽；

⑶对深沟槽进行填充。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述深沟槽的深度为5-150微米，特征尺寸为1-10微米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述对深沟槽进行填充的材料包含多晶硅、二氧化硅、钨。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述对深沟槽进行填充的方法包含低压化学气相沉积法、亚常压化学气相沉积法、等离子辅助化学气相沉积法、气相外延法。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述旋转对称是指把一个图形绕着一条直线旋转一个m*(360°/n)的角度后，与初始的图形重合，这种图形就叫做旋转对称图形，这条直线就称为该图形的n次旋转对称轴，360°/n叫做旋转角；其中，m为任意整数，n为大于1的正整数；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形，并且该图形至少包含一条n大于3次旋转对称轴。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的旋转对称图形采用单个图形或多个组合图形。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的旋转对称图形采用单个图形，该单个图形是正四边环形或圆环形。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的旋转对称图形采用多个组合图形，所述多个组合图形由4个长方形组成。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述的旋转对称图形采用多个组合图形，所述多个组合图形由8个长方形排列组成。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述硅片上所有结构单元排列也必须是旋转对称图形，并且该图形至少包含一条n大于3次旋转对称轴。