[发明专利]集成电路封装及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在晶片的衬底上方形成电连接件；

模制聚合物层，其中，所述电连接件的至少一部分被模制在所述聚合物层中；

执行第一锯切步骤，以在所述聚合物层中形成沟槽；以及

在所述第一锯切步骤后，执行第二锯切步骤，以将所述晶片锯切成多个管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一锯切步骤后，所述沟槽的下方留有所述聚合物层的剩余部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述聚合物层的剩余部分薄到足以通过所述剩余部分看到所述聚合物层下面的部件，在所述第二锯切步骤过程中，所述部件用作对准标记。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二锯切步骤中形成的锯缝与所述沟槽的中心部分重叠，所述锯缝的宽度小于所述沟槽的宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽的一部分与所述晶片中的第一芯片和第二芯片之间的划线重叠。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沟槽还与所述第一芯片中的第一密封环的一部分以及所述第二芯片中的第二密封环的一部分重叠。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽的侧壁是倾斜的，并且所述沟槽的底部基本平坦。

8.一种方法，包括：

在晶片的衬底上方形成后钝化互连件(PPI)；

在所述PPI的上方形成电连接件且所述电连接件电连接至所述PPI；

在所述PPI上方模制聚合物层，其中，所述电连接件的下部被模制在所述聚合物层中；

执行第一锯切步骤，以在所述聚合物层中形成沟槽，其中，所述沟槽包括所述晶片的第一芯片和第二芯片间的划线中的一部分；以及

在所述第一锯切步骤后，执行第二锯切步骤，以切透所述划线并使所述第一芯片和所述第二芯片相互分离，其中，在所述第二锯切步骤中形成的锯缝穿过所述沟槽的中间部分。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在形成所述PPI的步骤之前，在金属焊盘的上方形成钝化层，其中，所述金属焊盘进一步位于所述衬底的上方；

在所述钝化层中形成第一开口，其中，通过所述第一开口露出所述金属焊盘的一部分；

在所述钝化层上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成掩模，其中，所述掩模包括第二开口，所述第二开口与所述金属焊盘的一部分重叠；以及

执行形成所述PPI的步骤，其中，所述PPI包括位于所述第二开口中的一部分。

10.一种芯片，包括：

衬底；

电连接件，位于所述衬底上方；

聚合物层，覆盖所述衬底，其中，所述电连接件的下部位于所述聚合物层中；以及

凹槽环，包括靠近所述芯片的边缘的部分，其中，所述聚合物层的一部分延伸到所述凹槽环的下方，并且所述凹槽环从所述芯片的边缘朝向所述芯片的中心向内延伸。