[发明专利]一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机双极型场效应晶体管，其特征在于：为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V₂O₅修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V₂O₅修饰层、Al源、Al漏电极和N型有机半导体层组成并依次叠加，其中N型有机半导体层截面呈T型并分别与Al源、Al漏电极、V₂O₅修饰层和P型有机半导体层接触；所述衬底为玻璃；所述栅电极为氧化铟锡（ITO），电阻为10Ω/□，厚度为0.7cm；所述电介质绝缘层为有机物PMMA,M_w为996，000，厚度为390nm；所述P型有机半导体层为并五苯（Pentacene），纯度为99.99%，厚度为20nm；所述修饰层为过渡金属氧化物V₂O₅，纯度99.9%，厚度为10nm；所述N型有机半导体层为C₆₀，纯度为99.9%，厚度为30nm。

2.一种如权利要求1所述有机双极型场效应晶体管的制备方法，其特征在于步骤如下：

1）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃衬底上，将ITO图样化成栅电极，用去离子水、丙酮、异丙醇依次超声波清洗后放入红外线干燥箱里干燥1小时，以除去其表面多余的试剂，氧化铟锡电阻为10Ω/□，厚度为0.7cm；

2）在上述图样化栅电极衬底上利用旋涂甩膜方法旋涂一层PMMA作为绝缘层，PMMA浓度为50mg/ml，厚度为390nm，转速为：低速800转/分、高速1800转/分，旋涂之后，在120℃的Ar环境下退火处理2h；

3）在上述绝缘层上，以的速率真空蒸镀沉积并五苯有源层，纯度为99.99%，厚度为20nm，真空度为2×10^-4Pa；

4）在上述并五苯有源层上，采用掩膜板，其沟道长度和宽度分别为80μm和5mm，以的速率蒸镀10nm厚、纯度为99.9%的V₂O₅作为源、漏电极修饰层，真空度为2×10^-4Pa；；

5）在V₂O₅修饰层上，继续使用沟道长度和宽度分别为80μm和5mm的掩膜版，以的速率蒸镀150nm厚的Al，作为源、漏电极，真空度为2×10^-4Pa；

6）在Al源、漏电极上，以的速率真空蒸镀沉积C₆₀，纯度为99.9%，厚度为30nm，真空度为2×10^-4Pa。