[发明专利]一种高精度BGA植球装置有效

专利信息
申请号: 201210377135.0 申请日: 2012-10-08
公开(公告)号: CN102915934A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 王涛;向圆;张乐银;徐春叶;明源;李丙旺 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 bga 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种高精度BGA植球装置。

背景技术

随着芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要,BGA封装被应用于生产。通常情况下,BGA封装过程中,采用手工通过毛刷或其他工具涂敷助焊剂或焊膏,但助焊剂或焊膏涂敷厚度不可控制,一致性差,不需要涂敷的焊盘中间位置容易被污染,同时会浪费较多的助焊剂或焊膏,所以手工涂敷助焊剂或焊膏效率较低。植球模板的经常拆分会引起网板变形,使得网板下表面与封装基板上表面间隙精度不可控制,导致封装基板表面的助焊剂或焊膏接触到模板下表面,不仅会污染模板,同时造成模板脱模时带离封装基板,导致植球失败。另外,植球网板脱模时需要控制垂直移动,手工控制垂直度较差,容易使放置好的焊球偏位,焊球熔化过程中(回流焊或其他方式)容易发生短路及偏位等缺陷。

在BGA植球过程中,解决封装基板精确定位问题是至关重要的,特别是在当今电子技术高速发展情况下,器件向高集成度、小型化方向发展,BGA的PAD间距越来越小,使用一般的机械定位方式一方面会导致定位不精确或偏移而导致PAD之间互联,另一方面可能对器件造成损伤。在专利高精度自动植球设备及使用该设备的BGA焊球植入方法200910232573.6中公布了利用真空对IC器件进行吸附固定,但是对器件尺寸有限制,而且植球模板拆分频率高;在专利BGA器件漏印工装及印制板BGA器件的更新焊接方法200910303843.8中公布了采用顶杆固定器件方式,容易造成器件损坏或者网板变形。另外,一般植球工装只是针对器件X、Y方向进行限位。本专利有以下特征:一是通过相应的机械结构可以完成封装基板X、Y、Z、θ四个方向的精确定位;二是采用真空吸附方式对器件进行固定,避免因固定造成的损伤;三是植球完成后,通过机械结构使器件与模板分离,模板固定不动,这样模板拆分频率低,减小模板变形。

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有手工BGA植球过程中存在的模板定位精度差、效率低、可靠性差、浪费大的缺陷,提供的一种高精度BGA植球装置。

本发明的目的通过以下技术方案实现的:

一种高精度BGA植球装置,其特征在于包括:

a、一个保护盒,保护盒的上端为开口端、后面铰接活动门;

b、保护盒内设有三维机械调节装置,三维机械调节装置中的各调节螺杆分别穿过保护盒正面和侧面,三维调节装置顶部连接有吸盘,吸盘通过软管与负压源连接;所述的吸盘为中空结构、其表面均布设有吸附孔。

c、模板框,模板框中设有网版,模板框四角分别设有螺钉与保护盒的上端对应连接。

在上述技术方案的基础上,还有以下进一步的技术方案:

模板框中设有漏球孔,漏球孔与设置在模板框下面的收集槽连接配合。

所述的三维机械调节装置,包括:

底座及其上设置的纵向移动版,纵向移动版与底座之间设有纵向螺杆及配合的纵向螺母;

纵向移动版上设置横向移动版,纵向移动版与横向移动版之间设有横向螺杆及其配合的螺母;

横向移动版上设有套筒,套筒中设有移动配合的升降螺杆,升降螺杆上连接一个涡轮螺母,涡轮螺母的外圆涡轮部分与垂直螺杆连接配合;

升降螺杆的上端滑动连接一个角度涡轮,角度调节螺杆与角度涡轮连接配合,角度涡轮上端连接吸盘。

本发明具有如下优点:使用时先进行粗略定位,再通过真空吸附,在机械结构的协助下完成不同结构尺寸器件的精确定位;这样模板拆分频率低,减小模板变形,延长使用寿命,减少成本。植球过程中,通过真空吸附固定器件,减少器件工艺过程中的损伤。

附图说明

图1是本发明的三维分解示意图;

图2是本发明的三维机械调节装置安装于保护盒中的示意图;

图3是本发明安装模板框的示意图;

图4是本发明的模板框示意图;

图5是本发明的三维机械调节装置示意图。

具体实施方式

本发明的总体结构如图1所示,它包括:

a、一个保护盒1,保护盒1的上端为开口端、后面铰接活动门1b,参见图2、图3;

b、保护盒1内设有三维机械调节装置,三维机械调节装置中的各调节螺杆分别穿过保护盒1正面和侧面(如图2所示),三维调节装置顶部连接有吸盘6,吸盘6通过软管12与负压源连接;所述的吸盘为中空结构、其表面均布设有吸附孔(参见图5);

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