[发明专利]一种跨阻放大器的信号强度检测电路

权利要求书

1.一种跨阻放大器的信号强度检测电路，其特征在于，包括

一光电二极管PD：输出光电流I_PD；

一输入信号强度取样及检测模块：对光电二极管PD中的输出光电流I_PD进行取样，同时从取样信号中分离出其中的高频分量I_AC和低频分量I_DC；

一耦合电容C1；

一跨阻放大器模块；所述跨阻放大器模块的输入与输出端跨接一电阻R_F，所述高频分量I_AC通过所述耦合电容C1进入到该跨阻放大器模块；所述低频分量取样出I_DC2和I_DC3两部分，就是跨阻放大器的信号强度指示，经过R_MON，转换成电压信号输出。

2.根据权利要求1所述的一种跨阻放大器的信号强度检测电路，其特征在于，所述输入信号强度取样及检测模块包括依次连接的：

输入信号强度取样单元（10）：对光电二极管PD中的输出光电流I_PD进行取样，同时从取样信号中分离出其中的高频分量和低频分量，高频分量I_AC通过耦合电容C1进入到主跨阻放大器模块，低频分量取样出I_DC2和I_DC3两部分；

以及输入信号强度检测单元（20）；低频分量取样出I_DC2和I_DC3两部分，就是跨阻放大器的信号强度指示，经过R_MON，转换成电压信号输出。

3.根据权利要求2所述的一种跨阻放大器的信号强度检测电路，其特征在于，所述输入输入信号强度取样单元（10）包括微小光电流取样电路和较大光电流取样电路；

所述微小光电流取样电路包括：采样电阻（101），滤波网络电阻（102）和电容（103），第二运算放大器（32），第一PMOS管（105），第一NMOS管（106）和第一电阻（107）；其中，采样电阻（101）一端连接到光电二极管PD的正极，另一端接地；电阻（102）一端连接到光电二极管PD的正极，另一端接电容（103）正极；电容（103）负极接地，滤波网络电阻（102）和电容（103）形成RC低通滤波；第二运算放大器（32）输入正端与滤波网络电阻（102）和电容（103）的公共端相连；第一PMOS管（105）的源极接电源，栅极和漏极相连，形成二极管结构，为第一NMOS管（106）提供电流源；第一NMOS管（106）的漏极与第一PMOS管（105）的漏极相连，栅极与第二运算放大器（32）的输出端相连，源极与第二运算放大器（32）的输入负端相连，然后接第一电阻（107）一端，第一电阻（107）的另一端接地；第二运算放大器（32）、第一PMOS管（105）、第一NMOS管（106）以及第一电阻（107）组成电压跟随电路，第二运算放大器（32）输入负端的电压钳制在光电二极管PD正端的直流电压上；

所述较大光电流取样电路包括：第一运算放大器（31）和第NMOS管（104）；其中，第一运算放大器（31）的输入负端连接V_REF基准电压，输入正端与电阻（102）和电容（103）的公共端相连，第NMOS管（104）的栅极与第一运算放大器（31）的输出端相连，源极接地，漏极与光电二极管PD正端相连。

4.根据权利要求3所述的一种跨阻放大器的信号强度检测电路，其特征在于，所述输入信号强度检测模块（20）包括：第二PMOS管（202），第三NMOS管（203）、第四NMOS管（204）、第五NMOS管（201），第三PMOS管（205）、第四PMOS管（206）；其中，第二PMOS管（202）的源极接电源，栅极与第一PMOS管（105）的栅极相连，漏极与第三NMOS管（203）的漏极相连；第三NMOS管（203）、第四NMOS管（204）形成电流镜结构，第三NMOS管（203）源极接地，栅极与漏极相连；第四NMOS管（204）的源极接地，栅极与第三NMOS管（203）的栅极相连，漏极与第三PMOS管（205）的漏极相连；第NMOS管（201）的栅极与第一运算放大器（31）的输出端相连，源极接地，漏极与第四NMOS管（204）的漏极相连；第三PMOS管（205）、第四PMOS管（206）形成电流镜结构，第三PMOS管（205）的源极接电源，栅极与漏极相连；第四PMOS管（206）的源极接电源，栅极与第三PMOS管（205）的栅极相连，漏极与R_MON的一端相连。