[发明专利]显示器件有效
| 申请号: | 201210375366.8 | 申请日: | 2012-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN103035663A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 宋垠妸;金明燮;李善熙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 器件 | ||
本申请要求2011年10月4日提交的韩国专利申请NO.10-2011-0100731以及2011年12月15日提交的韩国专利申请NO.10-2011-0135824的优先权,在此为了全部目的通过参考将其并入本文,就像在此全部列出一样。
技术领域
本文涉及一种显示器件,特别涉及一种防止外部的湿气和氧气渗入并具有增长的使用期限的显示器件。
背景技术
近些年,已经开发出能够降低重量和体积的各种平板显示器,其中重量和体积是阴极射线管的不足之处。平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)。
在上述平板显示器中,有机发光显示器是一种电激发有机化合物并发光的自发光显示器件。与液晶显示器不同,有机发光二极管不需要背光单元。因此,可通过简单工艺制造重量轻和外形薄的有机发光显示器。此外,有机发光显示器可在低温下制造,且具有低于1ms的快速响应速度、低功耗、宽视角和高对比度的特性。
有机发光显示器包括在阳极和阴极之间的发射层。由此,自阳极提供的空穴与自阴极提供的电子在有机发射层中结合以形成空穴电子对,即激子。当激子自激发态跃迁为基态(ground state)时,产生能量以使有机发光二极管发光。
图1是示出常规的有机发光显示器的截面图,图2是示出收缩的有机发光显示器的顶视图。
参考图1,常规的有机发光显示器包括形成在基板10上的第一电极12、形成在第一电极12上的堤岸层13、形成在由堤岸层13暴露的第一电极12上的有机发射层14、和形成在有机发射层14上的第二电极15。钝化膜17形成为覆盖设置在其下方的包括第二电极15的元件,封装基板24通过封装剂22封装所述基板10。
尽管上述常规的有机发光显示器10具有形成在第二电极15顶部上的钝化膜17以保护设置在其下方的元件,但是在钝化膜17的制造工艺中可能会有直径较大的杂质20的附着。这种情况下,外部的湿气和氧气通过因杂质20而产生的钝化膜17中的间隙渗入到有机发射层14中。如图2中所示,由于渗入湿气和氧气,有机发射层14具有收缩的问题,这会使有机发射层14劣化并导致其不发光。
发明内容
本文的一个方面是提供一种防止外部的湿气和氧气渗入并具有增长的使用期限的显示器件。
在一个方面中,一种显示器件包括:基板;位于基板上的第一电极;第二电极;插入到第一电极和第二电极之间的有机发射层;位于第二电极上并包围自有机发射层发光的发射区的有机绝缘膜;和覆盖有机绝缘膜的钝化膜。
在另一方面,一种显示器件包括:基板;位于基板上的第一电极;第二电极;插入到第一电极和第二电极之间的有机发射层;位于第二电极上的第二钝化膜;位于第二电极上且包围自有机发射层发光的发射区的有机绝缘膜;和覆盖第二钝化膜和有机绝缘膜的第一钝化膜。
附图说明
本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解,附图结合到说明书中并构成说明书的一部分,附图说明了本发明的实施例并与文字描述一起用于解释本发明的原理。附图中:
图1是示出常规的有机发光显示器的截面图;
图2是示出收缩的有机发光显示器的顶视图;
图3是示出根据本发明第一示范性实施例的显示器件的截面图;
图4是示出图3的显示器件的顶视图;
图5是示出根据本发明第一示范性实施例的显示器件的截面图;
图6是示出图5的显示器件的顶视图;
图7是示出根据本发明第二示范性实施例的显示器件的截面图;
图8是示出根据本发明第三示范性实施例的显示器件的截面图;
图9是示出图8的显示器件的顶视图;
图10是示出具有有机绝缘膜的显示器件的左侧的示图,图11是示出显示器件的顶部的示图;
图12是在根据本发明的实例2和比较实例2制造的显示器件上进行的SEM和AFM测量的照片;和
图13是根据本发明的实例2和比较实例2制造的显示器件中氧含量的分析结果的曲线图。
具体实施方式
现在将具体参考本发明的实施例,附图中示出了实施例的实例。在本发明的描述中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并非意在限制本发明。
图3和5是示出根据本发明第一示范性实施例的显示器件的截面图。图4是示出图3的显示器件的顶视图。图6是示出图5的显示器件的顶视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





