[发明专利]固态图像传感器及其制造方法以及照相机

权利要求书

1.一种具有光电转换部分的固态图像传感器的制造方法，所述方法包括：

使用六氯乙硅烷(Si₂Cl₆)作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成硅氮化物膜，使得所述硅氮化物膜覆盖所述光电转换部分的至少一部分。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在所述硅氮化物膜上形成层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜中形成开口；以及

以硅氮化物填充所述开口，

其中，所述层间绝缘膜和填充所述开口的所述硅氮化物形成用于将光引导到所述光电转换部分的导光部。

3.根据权利要求2的方法，其中，在以所述硅氮化物填充所述开口时，通过等离子体增强化学气相沉积方法以所述硅氮化物填充所述开口。

4.根据权利要求2的方法，其中，在所述层间绝缘膜中形成所述开口时，通过使用由所述低压化学气相沉积方法形成的所述硅氮化物膜作为蚀刻终止层，蚀刻所述层间绝缘膜来形成所述开口。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述固态图像传感器包括：包括所述光电转换部分的像素部分，以及包括晶体管的外围电路部分，以及

在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，形成所述硅氮化物膜以覆盖所述光电转换部分的至少一部分和所述晶体管。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括：在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜之前，形成另一硅氮化物膜以覆盖所述光电转换部分的至少一部分，

其中，在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，在所述另一硅氮化物膜上形成所述硅氮化物膜。

7.根据权利要求6的方法，其中，在所述形成另一硅氮化物膜时，使用六氯乙硅烷作为原料气体形成所述另一硅氮化物膜，以覆盖所述光电转换部分的至少一部分。

8.根据权利要求1的方法，其中，所述固态图像传感器包括：包括所述光电转换部分的像素部分，以及包括晶体管的外围电路部分，以及

所述方法进一步包括形成另一硅氮化物膜以覆盖所述晶体管。

9.根据权利要求1的方法，其中，在通过所述低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜时，形成所述硅氮化物膜以包含Si-H键和N-H键，使得所述Si-H键和所述N-H键中的至少一个的密度不小于1.5×10²¹原子/cm³。

10.一种具有光电转换部分的固态图像传感器，所述固态图像传感器包括：

定位为覆盖所述光电转换部分的至少一部分的硅氮化物膜，使用六氯乙硅烷作为原料气体通过低压化学气相沉积方法形成所述硅氮化物膜。

11.根据权利要求10的固态图像传感器，其中，所述硅氮化物膜包含Si-H键和N-H键；以及

所述Si-H键和所述N-H键中的至少一个的密度不小于1.5×10²¹原子/cm³。

12.一种照相机，包括：

根据权利要求10的固态图像传感器；以及

处理从所述固态图像传感器输出的信号的处理单元。