[发明专利]湿式处理设备无效
| 申请号: | 201210375148.4 | 申请日: | 2012-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN103247553A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 张承逸;安吉秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社MM科技 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;张洋 |
| 地址: | 韩国京畿道安山市檀园区木内*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 设备 | ||
对相关专利申请案的交叉参考
本申请案主张在2012年2月10日向韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2012-0013810号的权利,此案的全部揭露内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及湿式处理设备,且更明确地说,涉及用于通过湿式处理方法处理衬底的表面的湿式处理设备。
背景技术
用于包含薄膜晶体管的显示装置的衬底以及用于半导体装置的衬底经历表面处理工艺,以用于从衬底的表面去除氧化硅薄膜或用于平坦化硅薄膜的表面。
表面处理工艺是通过将诸如蚀刻剂的处理液体施加于衬底的表面上而执行。
在湿式处理设备中,执行工艺的处理室可能会受到处理液体污染。因此,安装于处理室中的装备可能容易腐蚀。因此,安装于执行工艺的处理室中的装备需由具有高的耐腐蚀性以及高的耐化学性的材料形成。此情形过度地增加了装备成本,而且,归因于材料的限制,诸如复杂的升高系统的某装备可能无法安装于处理室中。
发明内容
本发明提供一种湿式处理设备,其中具有长的耐久性的升高处理设施可用低的成本来安装。
本发明提供一种湿式处理设备,包含:处理室,其包括衬底进入所通过的第一门以及所述衬底退出所通过的第二门;移动台,其经配备以在所述处理室中上下移动且其上放置有所述衬底;多个支撑件,其连接到所述移动台;驱动单元,其经配备以通过连接到所述支撑件中的至少一个而上下移动所述移动台;固定台,其固定地安置于所述处理室中且面对所述移动台,且所述支撑件中的至少一个通过固定台;以及多个保护构件,其安置于所述固定台与所述移动台之间、围绕所述支撑件中的每一个,且经配备以延伸以及收缩。
所述固定台可位于所述移动台与所述驱动单元之间。
所述固定台可包含位于所述处理室的底部表面与所述移动台之间的第一固定台。
所述固定台可包含位于所述处理室的上部表面与所述移动台之间的第二固定台。
所述支撑件可包含连接到所述移动台的下部表面的至少一个第一支撑件。
所述支撑件可包含连接到所述移动台的上部表面的至少一个第二支撑件。
并未连接到所述驱动单元的所述支撑件是导杆。
所述固定台可与所述处理室的侧壁以密封方式组合。
所述第一门以及所述第二门可垂直于彼此而安置。
所述湿式处理工艺可更包含安装于所述处理室中且将处理液体供应到所述衬底上的湿式处理单元。
如上文所述,根据本发明,由于形成上下移动移动台的升高系统的支撑件以及驱动单元可被保护以免受处理溶液影响,因此不必通过使用具有高的耐腐蚀性以及高的耐化学性的昂贵材料来形成这些构成元件,从而降低湿式处理设备的制造成本。
又,湿式处理设备中的升高系统的耐久性可增加。
又,即使湿式处理单元安装于处理室中,升高系统仍可安装于处理室中。
处理室的上部表面和/或底部表面可被保护以免受处理溶液的分散影响。
由于处理液体是由第一固定台收集,因此处理液体的排放为顺利的且处理液体的处理为容易的,从而减少环境污染。
根据本发明的湿式处理设备可用作方向转换设备,其在用于处理线性布置的衬底的表面的系统中转换衬底的移动方向。
附图说明
通过参看所附图式详细描述本发明的示范性实施例,本发明的以上以及其它特征与优点将变得更加显而易见。
图1是显示根据本发明的实施例的湿式处理设备的配置的示意图。
图2是根据本发明的实施例的图1的移动台的实例的透视图。
图3是显示图2的移动台上的衬底的倾斜状态的示意图。
图4是显示根据本发明的另一实施例的湿式处理设备的配置的示意图。
图5是显示根据本发明的再一实施例的湿式处理设备的配置的示意图。
图6是具有四个支撑件的移动台的示意性平面图。
具体实施方式
现将参看显示本发明的示范性实施例的附图来更全面地描述本发明。
图1是显示根据本发明的实施例的湿式处理设备的配置的示意图。
如图1中所示,根据当前实施例的湿式处理设备包含处理室20、移动台40以及第一固定台51。移动台40以及第一固定台51安置于处理室20中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





