[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

第一半导体层，具有第一导电类型，其中所述第一半导体层形成于一半导体衬底之上，所述半导体衬底具有第二导电类型；

阴极接触区，形成于第一半导体层上，其中所述阴极接触区为重掺杂，具有第一导电类型；

保护环，形成于所述第一半导体层上，形成一肖特基窗口，其中所述保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环界面，所述保护环具有第二导电类型，所述保护环与一保护环接触相连；

肖特基二极管金属接触，连接到所述第一半导体层，所述肖特基二极管金属接触与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，其中，所述肖特基二极管界面位于所述肖特基窗口内部，并与所述保护环隔开；以及

电阻模块，耦接于所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包含一个少子收集区，所述少子收集区形成于所述保护环的四周，与所述保护环隔离开，其中所述少子收集区连接到所述阴极接触区，且所述少子收集区具有第二导电类型。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述肖特基二极管界面与所述保护环的最小间距为1.4μm。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻模块的电阻值与从所述保护环界面到所述肖特基二极管界面的路径电阻值之比为0.1-10。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻模块包含集成电阻。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述集成电阻为一个扩散电阻。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述扩散电阻进一步包含一个扩散区和三个排成一行的电阻接触，其中位于中间位置的所述电阻接触通过一第一金属连线连接到所述肖特基二极管金属接触，其它两个所述电阻接触通过一第二金属连线连接到所述保护环接触。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻模块进一步包含一个分立电阻，其中所述分立电阻包含第一端和第二端，所述第一端连接到肖特基二极管金属接触，所述第二端连接到所述保护环接触。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电阻模块进一步包含一个寄生电阻，其中所述寄生电阻包含一个具有第二导电类型的轻掺杂区和一个具有第二导电类型的重掺杂保护环接触区，所述轻掺杂区包围所述保护环的外侧，所述重掺杂保护环接触区位于所述轻掺杂区内并与所述保护环隔离开。

10.一种半导体器件，包含：

阴极端，连接到一半导体层，其中所述半导体层具有第一导电类型；

阳极端，连接到一肖特基二极管金属接触，其中所述肖特基二极管金属接触形成于所述半导体层之上，与所述半导体层交界处为肖特基二极管界面；以及

保护环端，连接到一保护环，其中所述保护环具有第二导电类型，所述保护环位于所述半导体层中且包围所述肖特基二极管界面，所述保护环与所述肖特基二极管界面相互隔离。

11.如权利要求10所述的半导体器件，进一步包含一个电阻模块，所述电阻模块耦接于所述阳极端和所述保护环端之间。

12.一种制作半导体器件的方法，其特征在于所述方法包含：

在半导体衬底上制作第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型，所述半导体衬底具有第二导电类型；

在所述第一半导体层上制作一重掺杂的阴极接触区，所述阴极接触区具有第一导电类型；

在所述第一半导体层上制作保护环，然后制作保护环接触并与所述保护环连接，其中所述保护环具有第二导电类型；

在所述第一半导体层上制作肖特基二极管金属接触，其中所述肖特基二极管金属接触与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，所述保护环位于肖特基二极管界面的周围且所述保护环和所述肖特基二极管界面相互隔离；以及

耦接一电阻模块到所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间。

13.如权利要求12所述的制作半导体器件的方法，其中所述耦接电阻模块包含制作一个集成电阻耦接于所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间。

14.如权利要求12所述的制作半导体器件的方法，其中所述耦接电阻模块包含耦接一个分立电阻到所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间。

15.如权利要求12所述的制作半导体器件的方法，其中所述耦接电阻模块包含制作寄生电阻耦接于所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间，其中所述制作寄生电阻包含：

制作一个轻掺杂阱区，包围所述保护环并与所述保护环隔离，其中所述轻掺杂阱区具有第二导电类型；以及

在所述轻掺杂阱区内制作一个保护环接触区，所述保护环接触制作于所述保护环接触区上，其中所述轻掺杂阱区将所述保护环与所述保护环接触隔离开，所述保护环接触区具有第二导电类型。