[发明专利]大功率半导体开关器件通用驱动芯片

权利要求书

1.大功率半导体开关器件通用驱动芯片，其特征在于，包括电源脚(VDD)、地脚(GND)、正向输入脚(IN+)、反向输入脚(IN-)和驱动输出脚(OUT)，所述芯片内集成有MOS对管(1)、电平选择电路(3)和DC-DC变换电路(4)，所述DC-DC变换电路与电源脚连接用于产生+5V电源；所述MOS对管由P-MOS管和N-MOS管漏极相接组成，P-MOS管源极接电源脚，N-MOS管源极接地脚，漏极接所述驱动输出脚；所述电平选择电路的一个输入端接正向输入脚并通过第一电阻接(8)地脚，另一个输入端接反向输入脚并通过第二电阻(7)接DC-DC变换电路的输出端，电平选择电路的输出端经驱动单元(2)接MOS对管的栅极。

2.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于，所述芯片还包括温度输出脚(Tout)，所述芯片内还集成有测温电路(5)，所述测温电路由恒流镜电路和第一半导体PN结串联组成，由所述DC-DC变换电路供电，恒流镜电路和第一半导体PN结的公共端接所述温度输出脚，第一半导体PN结的另一端接地脚，该测温电路用于检测该驱动芯片自身的温度，以及检测大功率半导体开关器件管脚的温度。

3.根据权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，所述测温电路和所述温度输出脚之间还连接放大电路。

4.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于，所述电平选择电路为同或门、或者异或门。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的驱动芯片，其特征在于，所述芯片内还集成有保护模块(6)，该保护模块由连接在所述P-MOS管的源极和漏极之间的第二PN结(6a)、以及连接在所述N-MOS管的源极和漏极之间的第三PN结(6b)组成，用于保护连接在驱动输出脚的大功率半导体开关器件不受干扰脉冲影响，以及将该驱动芯片本身的驱动电压钳制到合理范围。

6.根据权利要求5所述的驱动芯片，其特征在于，所述第二PN结和第三PN结分别在所述P-MOS管和所述N-MOS管的结构上改造形成。

7. 根据权利要求5所述的驱动芯片，其特征在于，所述MOS对管的内阻与连接在驱动输出脚的IGBT的特性相匹配。

8.根据权利要求5所述的驱动芯片，其特征在于，该芯片采用SOT23-6封装，芯片的长度为2.8-3mm，厚度为0.9-1.45mm，芯片主体的宽度为1.5-1.75mm。

9.权利要求1-8任意一项所述驱动芯片在电磁感应加热装置中的应用，用于驱动IGBT。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述驱动芯片的地脚紧贴并连接所述IGBT的E极。