[发明专利]高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层，插入层上外延生长有缓冲层，缓冲层上外延生长有沟道层，沟道层上外延生长有势垒层，势垒层上外延生长有盖帽层，栅极金属、源极金属及漏极金属分别位于盖帽层上，栅极金属与源极金属之间及栅极金属与漏极金属之间具有钝化层，钝化层与盖帽层相接触。

2.根据权利要求1所述高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述基底为碳化硅材料，所述插入层为氮化铝材料，其厚度为3nm，所述缓冲层为掺杂的氮化镓材料，其厚度为3μm，所述沟道层为氮化镓材料，其厚度为80nm，所述势垒层为AlGaN材料，其厚度为30nm，Al（即铝）的组分为0.3，所述盖帽层为氮化镓材料，厚度为5nm，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3到5×10¹⁸cm^-3之间，所述钝化层为氮化硅材料，厚度为0.12μm。

3.根据权利要求2所述高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极金属是金，与氮化镓盖帽层形成肖特基接触，源极金属及漏极金属为镍，与氮化镓盖帽层形成欧姆接触。