[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法

说明书

相关申请交叉引用

本申请要求于2012年1月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0005750的优先权，该申请公开的内容作为参考结合于此。

技术领域

本发明涉及具有高容量的多层陶瓷电子元件，通过降低外电极中的厚度偏差，该多层陶瓷电子元件具有良好的可靠性，同时具有更薄的外电极。

现有技术

目前，随着电子产品的尺寸减小，多层陶瓷电子元件也被要求减小尺寸，但具有大的电容量。

因此，已经尝试各种方法来使得介电层和内电极更薄且更加多层化，并且，近来，已经制作出了其中层压了增大的量的薄介电层的多层陶瓷电子元件。

另外，由于还要求外电极变得更薄，这潜在地导致了电镀液穿过外电极渗入基片的缺陷，因而难以减小多层陶瓷元件的尺寸。

具体地，当外电极的形状不均匀（uniform）时，电镀液渗入外电极的较薄部分的可能性进一步增大，导致无法获得安全的可靠性。

因此，当大电容产品相对较小时，其外电极的形状是关键因素。

发明内容

本发明的一个方面提供一种高容量多层陶瓷电子元件，提供减小外电极的厚度偏差，该高电容多层陶瓷电子元件具有良好可靠性，同时具有较薄的外电极。

根据本发明的一个方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体；多个内电极，该多个内电极层压在所述陶瓷主体内；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的外表面上并与所述内电极电连接，其中，所述外电极的平均厚度为小于或等于10μm，并且当所述外电极在所述陶瓷主体的中间部分沿厚度方向的厚度为Tc，且在沿厚度方向与电容形成区域的中间部分相距所述陶瓷主体的电容形成区域的厚度的25%的点处的所述外电极的厚度为T1时，满足0.8≤|T1/Tc|≤1.0，所述内电极在所述电容形成区域内层压以形成电容。

当所述外电极在所述陶瓷主体的边缘部分的最薄点为T3时，可以满足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外电极包括小于或等于总重的60wt%的导电金属。

所述导电金属为选自由铜（Cu）、镍（Ni）、银（Ag）和银-钯（Ag-Pd）构成的组中的一者或多者。

根据本发明的另一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体；多个内电极，该多个内电极层压在所述陶瓷主体内；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的外表面上并与所述内电极电连接，其中，所述外电极的平均厚度为小于或等于10μm，并且当所述外电极在所述陶瓷主体的中间部分的沿厚度方向的厚度为Tc，且所述外电极在其中层压所述内电极以形成电容的所述陶瓷主体的最外内电极处的厚度为T2时，满足0.5≤|T2/Tc|≤1.0。

当所述外电极在所述陶瓷主体的边缘部分的最薄点为T3时，满足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外电极包括小于或等于总重的60wt%的导电金属。

所述导电金属为选自由铜（Cu）、镍（Ni）、银（Ag）和银-钯（Ag-Pd）构成的组中的一者或多者。

根据本发明的另一方面，提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体；多个内电极，该多个内电极层压在所述陶瓷主体内；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的外表面上并与所述内电极电连接，其中，所述外电极的平均厚度为小于或等于10μm，并且当所述外电极在所述陶瓷主体的中间部分沿厚度方向的厚度为Tc，在沿厚度方向与电容形成区域的中间部分相距所述陶瓷主体的电容形成区域的厚度的25%的点处的所述外电极的厚度为T1时，所述内电极在所述电容形成区域内层压以形成电容，且所述外电极在其中层压所述内电极以形成电容的的所述陶瓷主体的最外内电极处的厚度为T2，满足0.8≤|T1/Tc|≤1.0和0.5≤|T2/Tc|≤1.0。

当所述外电极在所述陶瓷主体的边缘部分的最薄点为T3时，可以满足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外电极包括小于或等于总重的60wt%以下的导电金属。

所述导电金属为选自由铜（Cu）、镍（Ni）、银（Ag）和银-钯（Ag-Pd）构成的组中的一者或多者。