[发明专利]导电材料无效

专利信息
申请号: 201210371692.1 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103035311A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 内藤胜之;吉永典裕;中野义彦;赤坂芳浩;真竹茂 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01B1/02 分类号: H01B1/02;H01B1/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东;谭邦会
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 导电 材料
【权利要求书】:

1.导电材料,其特征在于该导电材料包括:

至少一个维度为200nm或更小的碳材料,所述碳材料包括选自单层石墨烯和多层石墨烯的石墨烯,构成石墨烯的一部分碳原子被氮原子取代;以及

与所述碳材料混合和/或层合的金属材料,所述金属材料包括金属颗粒和金属线的至少之一。

2.权利要求1的导电材料,所述导电材料在550nm波长下的透射率为60%或更高。

3.权利要求1的导电材料,其特征在于所述金属材料包括至少一个维度为200nm或更小的金属颗粒。

4.权利要求1的导电材料,其特征在于所述金属材料包括至少一个维度为200nm或更小的金属线。

5.权利要求1的导电材料,其特征在于所述碳材料的氮与碳的原子比(N/C)为1/5~1/1000。

6.权利要求1的导电材料,其特征在于在使用1s电子的氮原子的x射线光电能谱中,代表401.2eV处强度的I401.2大于代表398.5eV处强度的I398.5

7.权利要求1的导电材料,其特征在于该导电材料进一步包括与所述导电材料混合和/或层合的电子注入材料。

8.权利要求7的导电材料,其特征在于所述电子注入材料具有电子注入性能,并选自以下组中:碱金属盐、碱土金属盐、n型氧化物半导体、具有被吸电子基团取代的π电子体系的低聚物、和具有被吸电子基团取代的π电子体系的聚合物。

9.权利要求1的导电材料,其特征在于IO1s/IC1s比例为1/10或更小,其中IO1s为X射线光电能谱中530eV处的氧原子峰强度,而IC1s为285eV处的碳原子C1s的峰强度。

10.权利要求1的导电材料,其特征在于所述碳材料的厚度为100nm或更小。

11.权利要求1的导电材料,其特征在于所述金属材料选自:Ag、Al、Cu、Au、W、Mo及其合金。

12.透明的导电材料,其特征在于该导电材料包括:

碳材料,所述碳材料含有选自单层石墨烯和多层石墨烯的石墨烯,并且构成石墨烯的一部分碳原子被氮原子取代;以及

与所述碳材料层合的金属材料,所述金属材料包括直径为200nm或更小的金属线。

13.电气装置,其特征在于该电气装置包括:

电极对;以及

夹在所述电极之间的功能层,

电极对之一为由导电材料制造的透明电极,所述导电材料包括碳材料和与所述碳材料混合和/或层合的金属材料,所述碳材料的至少一个维度为200nm或更小,并且包括选自单层石墨烯和多层石墨烯的石墨烯,石墨烯中的一部分碳原子被氮原子取代,金属材料包括金属颗粒和金属线的至少之一。

14.权利要求13的电气装置,其特征在于所述金属材料包括至少一个维度为200nm或更小的金属颗粒。

15.权利要求13的电气装置,其特征在于所述金属材料包括至少一个维度为200nm或更小的金属线。

16.权利要求13的电气装置,其特征在于所述功能层产生光伏电力,并且所述透明电极布置在接收光的光入射侧。

17.权利要求13的电气装置,其特征在于所述功能层被分成构造成显示图像的像素,而透明电极与显示图像的显示侧相反。

18.权利要求13的电气装置,其特征在于所述功能层发射光,并且透明电极布置在取出光的一侧。

19.权利要求13的电气装置,其特征在于所述电极对是透明的。

20.权利要求13的电气装置,其特征在于该电气装置进一步包括电子注入层。

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