[发明专利]热源热处理电容器钽粉的方法有效

专利信息
申请号: 201210371391.9 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN102847934A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 林耀民 申请(专利权)人: 泰克科技(苏州)有限公司
主分类号: B22F1/00 分类号: B22F1/00;C22F1/18
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 王锋
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 热源 热处理 电容器 方法
【权利要求书】:

1.一种热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法包括: 将待处理的钽粉置入真空改性炉中,采用电弧Arc或(和)射频等离子Plasma作为热源对钽粉进行热处理,然后经过快速降温后得到改性钽粉。

2.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法包括:进行热处理前,所述真空改性炉的真空度为1.13×10-1Pa~1.13×10-5 Pa,热处理时真空度为-0.02~-0.08  MPa。

3.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法包括: 

    采用电弧Arc或(和)射频等离子Plasma作为热源时,产生等离子体的气源为氩气、氢气、氦气、氖气中的一种或两种以上的气体按比例的混和气,其混和比例以氩气为基准源,比例范围是20:1~1000:1;所述气源的流量为12~15L/min   0.15MPa,所述气源纯度≥99.99%。

4.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法进一步包括: 

    钽粉以连续进料的方式进行热处理,钽粉连续进料的流量为5g/min~30g/min,钽粉经过热处理的时间为0.001秒~1秒。

5.根据权利要求4所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述热处理时,钽粉的表面温度大于2000℃。

6.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法进一步包括: 

    将钽粉进行热处理后进行冷却,使钽粉在0.01秒~5秒时间内,表面温度由大于2000℃降至800℃以下。

7.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述待处理的钽粉为钠还原法得到的钽粉,或者是高纯钽锭氢化后制得的钽粉。

8.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法进一步包括: 

将所述待处理的钽粉通入氮气进行渗氮处理,渗氮后的钽粉的氮气含量在100~1000PPM。

9.根据权利要求1所述的热源热处理电容器钽粉的方法,其特征在于所述方法具体包括: 

 在真空改性炉中,保持真空度为1.13×10-1Pa~1.13×10-5Pa的条件下,采用电弧Arc或(和)射频等离子Plasma作为热源,将待处理的钽粉以5g/min~30g/min的流量进行热处理0.001秒~1秒,热处理时钽粉的表面温度大于2000℃;热处理后的钽粉流入装有冷却装置的收粉室,在0.01秒~5秒时间内,钽粉的表面温度由大于2000℃降至800℃以下。

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