[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括公共电极总线和多条相互平行的公共电极线，其特征在于，所述公共电极总线包括多个间隔的栅极金属段和多个间隔的源漏极金属段，且所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置，所述栅极金属段与所述源漏极金属段之间通过第一绝缘层隔开，对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段之间通过过孔电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极金属段上覆盖有第二绝缘层，所述过孔包括第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔穿过所述第二绝缘层与所述源漏极金属段相接，所述第二连接孔依次穿过所述第二绝缘层和所述第一绝缘层与所述栅极金属段相接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔中填充有导电材料，所述导电材料为形成像素电极层时沉积至所述过孔中的像素电极材料，所述第一连接孔与第二连接孔通过所述像素电极材料相连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔位于所述第一绝缘层中，所述过孔的上端与所述源漏极金属段相接，下端与所述栅极金属段相接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔中填充有导电材料，所述导电材料为形成源漏极金属层时沉积至所述过孔中的源漏极金属。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极金属段和所述源漏极金属段的长度相同。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成栅极金属层，通过构图工艺形成栅电极的图形以及多个间隔的栅极金属段；

形成第一绝缘层；

形成源漏极金属层，通过构图工艺形成源电极和漏电极的图形以及多个间隔的源漏极金属段，所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置；

形成第二绝缘层；

通过构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成过孔；

形成像素电极层，通过构图工艺形成像素电极，并使像素电极材料沉积至所述过孔中以使对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成第一绝缘层之后，形成源漏极金属层之前，还包括：

形成半导体活性层和欧姆接触层，通过构图工艺形成掺杂区域的图形。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成栅极金属层，通过构图工艺形成栅电极的图形以及多个间隔的栅极金属段；

形成第一绝缘层，通过构图工艺在所述第一绝缘层中形成过孔；

形成源漏极金属层，通过构图工艺形成源电极和漏电极的图形以及多个间隔的源漏极金属段，并使源漏极金属沉积至所述过孔中以使对应相邻的所述栅极金属段和所述源漏极金属段电连接，所述源漏极金属段对应于所述栅极金属段之间的空缺位置。