[发明专利]堆叠半导体器件

权利要求书

1.一种堆叠半导体器件，包括：

第一半导体器件，所述第一半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第一半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;

第二半导体器件，所述第二半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第二半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;

第三半导体器件，所述第三半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第三半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;

第四半导体器件，所述第四半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述第四半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;其中：

所述第一半导体器件的所述第一主表面面向所述第二半导体器件的所述第一主表面，使得所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第二主表面之间;

所述第三半导体器件的所述第一主表面面向所述第四半导体器件的所述第一主表面，使得所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第一主表面位于所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第二主表面之间;以及

所述第二半导体器件的所述第二主表面面向所述第三半导体器件的所述第二主表面，使得所述第二半导体器件和所述第三半导体器件的所述第二主表面位于所述第二半导体器件和所述第三半导体器件的所述第一主表面之间;以及

至少一个连续导电通孔，其中所述至少一个连续导电通孔的每个连续导电通孔从所述第一半导体器件的所述第二主表面延伸穿过所述第一半导体器件、所述第二半导体器件和所述第三半导体器件。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中：

所述至少一个导电通孔中的每一个在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面之间的接口处具有第一宽度，以及在所述第一半导体器件的所述第一主表面和所述第二主表面之间具有第二宽度，其中所述第一宽度大于所述第二宽度；以及

所述至少一个导电通孔中的每一个在所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第一主表面之间的接口处具有第三宽度，以及在所述第三半导体器件的所述第一主表面和所述第二主表面之间具有第四宽度，其中所述第三宽度大于所述第四宽度。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个的进一步特征在于半导体管芯。

4.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个的进一步特征在于存储器件。

5.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个的进一步特征在于半导体晶圆。

6.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个包括导电面，并且其中所述至少一个连续导电通孔的一个或多个连续导电通孔电耦合于每个所述导电面。

7.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述至少一个连续导电通孔的一个或多个连续导电通孔是用于在所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个的所述有源电路之间耦合信号。

8.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件，其中所述第一半导体器件、所述第二半导体器件、所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个在所述半导体器件的至少一个边上的所述第一主表面处包括斜面。