[发明专利]自由基选择装置和基板处理装置

权利要求书

1.一种自由基选择装置，从等离子体中选择性地使自由基通过，其特征在于，具备：

第一屏蔽板；以及

第二屏蔽板，其被配置成使上述第一屏蔽板介于该第二屏蔽板与等离子体源之间，

其中，上述第一屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第一屏蔽板的多个第一贯通孔，

上述第二屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第二屏蔽板的多个第二贯通孔，

向上述第一屏蔽板施加第一直流电压，向上述第二屏蔽板施加第二直流电压，上述第一直流电压的极性与上述第二直流电压的极性不同。

2.根据权利要求1所述的自由基选择装置，其特征在于，

上述第一屏蔽板和上述第二屏蔽板被配置成当从上述第一屏蔽板侧观察时通过上述第一贯通孔看不到上述第二贯通孔。

3.根据权利要求1或2所述的自由基选择装置，其特征在于，

上述第一贯通孔的最大宽度是在上述第一屏蔽板的表面产生的鞘层的厚度的2倍以下。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的自由基选择装置，其特征在于，

能够变更上述第一直流电压的极性和上述第二直流电压的极性。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的自由基选择装置，其特征在于，

上述第一直流电压的极性为负。

6.根据权利要求5所述的自由基选择装置，其特征在于，

上述第一屏蔽板与被供给高频电力的电极板平行地配置，上述第一屏蔽板与该电极板一起形成平行平板电极。

7.根据权利要求1~5中的任一项所述的自由基选择装置，其特征在于，

上述自由基选择装置被配置成包围上述等离子体源与被实施等离子体处理的基板之间的空间。

8.一种基板处理装置，具备：

容纳室，其容纳被实施等离子体处理的基板；

等离子体源；以及

自由基选择装置，其配置在上述容纳室内，从等离子体中选择性地使自由基通过，

该基板处理装置的特征在于，

上述自由基选择装置具备：

第一屏蔽板，其介于上述等离子体源与上述基板之间；以及

第二屏蔽板，其被配置成使上述第一屏蔽板介于该第二屏蔽板与上述等离子体源之间，

其中，上述第一屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第一屏蔽板的多个第一贯通孔，

上述第二屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第二屏蔽板的多个第二贯通孔，

向上述第一屏蔽板施加第一直流电压，向上述第二屏蔽板施加第二直流电压，上述第一直流电压的极性与上述第二直流电压的极性不同。

9.一种基板处理装置，具备容纳室，该容纳室容纳被实施等离子体处理的基板，在该容纳室内配置有兼作电极的上述基板的载置台以及与该载置台相对置且连接高频电源的相向电极，该基板处理装置的特征在于，还具备：

第一屏蔽板，其被配置成面向上述载置台与上述相向电极之间的处理空间；以及

第二屏蔽板，其被配置成使上述第一屏蔽板介于该第二屏蔽板与上述处理空间之间，

其中，上述第一屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第一屏蔽板的多个第一贯通孔，

上述第二屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第二屏蔽板的多个第二贯通孔，

向上述第一屏蔽板施加第一直流电压，并且向上述第二屏蔽板施加第二直流电压，上述第一直流电压的极性与上述第二直流电压的极性不同，

在上述第一屏蔽板上连接第一阻抗调整电路，并且在上述载置台上连接第二阻抗调整电路，

在因上述高频电源所供给的高频电力产生的高频电流流过上述处理空间时，上述第一阻抗调整电路和上述第二阻抗调整电路分别对流向上述第一屏蔽板的上述高频电流和流向上述载置台的上述高频电流进行控制。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一屏蔽板和上述第二屏蔽板被配置成包围上述处理空间。