[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

传导垫，所述传导垫包括被至少部分地通过所述传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述间隙被基本完全地通过所述传导垫置放。

3.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的至少下部填充有介电材料。

4.根据权利要求2所述的结构，其中所述介电材料是氧化物。

5.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的上部是空腔。

6.根据权利要求1所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部是空腔。

7.根据权利要求2所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部填充有所述介电材料。

8.根据权利要求1所述的结构，其中所述多个间隙被沿着第一方向和沿着第二方向布置。

9.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。

10.根据权利要求1所述的结构，其中所述间隙具有长方形横向截面。

11.根据权利要求1所述的结构，其中所述传导垫是所述半导体结构的最终金属化层级的一个部分。

12.根据权利要求8所述的结构，其中所述间隙沿着所述第一方向交错并且沿着所述第二方向交错。

13.根据权利要求1所述的结构，进一步包括处于所述传导垫的有效垫区域之下的电子器件。

14.一种半导体结构，包括：

包括传导线的最终金属化层级，所述传导线包括至少部分地通过所述传导线置放的多个横向地隔开的间隙。

15.根据权利要求14所述的结构，其中所述间隙被基本完全地通过所述传导线置放。

16.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的至少下部填充有介电材料。

17.根据权利要求16所述的结构，其中所述介电材料是氧化物。

18.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的上部是空腔。

19.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部是空腔。

20.根据权利要求14所述的结构，其中每一个所述间隙的基本上全部填充有所述介电材料。

21.根据权利要求14所述的结构，其中所述多个间隙被沿着第一方向和沿着第二方向布置。

22.根据权利要求21所述的结构，其中所述第一方向基本垂直于所述第二方向。

23.根据权利要求14所述的结构，其中所述间隙具有长方形横向截面。

24.根据权利要求14所述的结构，其中所述传导线的至少一个部分是传导垫。

25.根据权利要求14所述的结构，其中所述半导体结构包括处于所述传导垫的有效垫区域之下的电子器件。

26.一种制造半导体结构的方法，包括：

形成介电层；

图案化所述介电层从而形成多个横向地隔开的介电区域，所述介电区域在其间限定开口；

在所述开口内形成传导层；和

移除每一个所述介电区域的至少一个部分以在每一个所述介电区域的至少上部中形成空腔。

27.根据权利要求26所述的方法，其中所述移除仅仅移除每一个所述介电区域的上部。

28.根据权利要求26所述的方法，其中所述传导层是最终金属化层级的一个部分。

29.根据权利要求26所述的方法，其中所述图案化包括蚀刻所述介电层。

30.根据权利要求26所述的方法，其中所述形成所述传导层包括电沉积工艺。

31.根据权利要求26所述的方法，其中所述形成所述传导层是双镶嵌工艺。

32.根据权利要求26所述的方法，其中所述开口是双层开口的一个部分。

33.根据权利要求26所述的方法，其中所述传导层包括Cu（铜）。

34.根据权利要求33所述的方法，其中所述Cu具有纯铜和/或铜合金的形式。