[发明专利]电子照相设备有效
申请号: | 201210370748.1 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103034084A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 田泽大介;小泽智仁;上野高典 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/00 | 分类号: | G03G15/00 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 设备 | ||
1.一种电子照相设备,包括:
圆筒状的电子照相感光构件,其具有由非晶硅形成的光导电层;
充电装置,用于对所述电子照相感光构件的表面进行充电;以及
图像曝光装置,用于利用图像曝光光束照射所述电子照相感光构件的表面,以在所述电子照相感光构件的表面上形成静电潜像,
其中,所述电子照相设备不具有用于控制所述电子照相感光构件的表面温度的单元,
所述电子照相感光构件具有感光构件特性根据表面温度而变化的感光构件特性的温度依赖性,
在所述电子照相感光构件在圆筒轴方向上等分成两个区域的情况下,所述两个区域中所述感光构件特性的温度依赖性的绝对值不相同,以及
在所述电子照相设备中,将所述电子照相感光构件配置成:在所述两个区域中将所述感光构件特性的温度依赖性的绝对值较小的区域定义为第一区域并且将所述感光构件特性的温度依赖性的绝对值较大的区域定义为第二区域的情况下,在所述电子照相设备形成图像时,所述第一区域的表面温度的变化大于所述第二区域的表面温度的变化。
2.根据权利要求1所述的电子照相设备,其中,在所述电子照相感光构件的特定部位中的所述感光构件特性的温度依赖性由α来表示、并且所述特定部位的表面温度的变化由ΔT来表示的情况下,作为α和ΔT的积的α·ΔT的值最大的部位中的α·ΔT的值和α·ΔT的值最小的部位中的α·ΔT的值之间的差Δ(α·ΔT)能够满足Δ(α·ΔT)和潜像对比电位Vc之间的如下关系,其中,所述潜像对比电位Vc是通过形成图像时的所述电子照相感光构件的表面上照射了图像曝光光束的部位中的电位和此时所述电子照相感光构件的表面上未照射图像曝光光束的部位中的电位之间的差来定义的,并且所述关系由以下表达式来表示:
Δ(α·ΔT)≤0.07·Vc,
其中α的单位为V/℃,ΔT的单位为℃,Vc的单位为V。
3.根据权利要求1所述的电子照相设备,其中,所述电子照相感光构件的所述感光构件特性的温度依赖性的程度从所述电子照相感光构件的圆筒轴方向上的一端侧朝向另一端侧单调增大,并且所述电子照相设备形成图像时的所述电子照相感光构件的表面温度的变化程度从所述电子照相感光构件的圆筒轴方向上的一端侧朝向另一端侧单调减小。
4.根据权利要求1所述的电子照相设备,其中,
所述充电装置被配置为与所述电子照相感光构件的圆筒轴方向近似平行,以及
所述电子照相设备还包括:空气供给装置,用于将空气从所述充电装置的长边方向的一端侧供给至所述充电装置;或者排气装置,用于将所述充电装置中的空气从所述充电装置的长边方向的一端侧排出。
5.根据权利要求1所述的电子照相设备,其中,所述电子照相设备是背景区域曝光系统的电子照相设备,并且所述感光构件特性是所述电子照相感光构件的充电特性。
6.根据权利要求1所述的电子照相设备,其中,所述电子照相设备是图像区域曝光系统的电子照相设备,并且所述感光构件特性是所述电子照相感光构件的灵敏度特性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210370748.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新霉素检测试剂盒
- 下一篇:检测赭曲霉毒素A含量的ELISA试剂盒