[发明专利]多层膜器件真空沉积装置

权利要求书

1.多层膜器件真空沉积装置，其特征在于，包括主挡板（3）、主掩膜板（4）、主衬底板（6）以及一个真空室（17）；所述主挡板（3）、主掩膜板（4）以及主衬底板（6）均位于所述真空室（17）内；所述主衬底板（6）、主掩膜板（4）及主挡板（3）自上而下过圆心同轴安放，所述真空室（17）下部设置有沉积源及屏蔽板（2），所述主衬底板（6）上安装有烘烤装置（7）；该沉积装置可通过水平方向上旋转所述主衬底板（6）、主掩膜板（4）以及主挡板（3）来更换沉积材料。

2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主挡板（3）、主掩膜板（4）以及主衬底板（6）分别通过主挡板轴（12）、主掩膜板轴（11）以及主衬底板轴（10）与真空室（17）外的主挡板外控板（14）、主掩膜板外控板（9）以及主衬底板外控板（15）相连；所述主挡板（3）与所述主挡板外孔板（14）可同步旋转，所述主掩膜板（4）与所述主掩膜板外控板（9）可同步旋转，所述主衬底板（6）与所述主衬底板外控板（15）可同步旋转。

3.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主衬底板（6）上开有衬底窗口（22）及晶振窗口（23），所述衬底窗口（22）的下部固定有衬底架（5），上部固定有所述烘烤装置（7），所述主衬底板（6）上安放有晶振厚度检测装置（8），所述晶振厚度检测装置（8）与所述晶振窗口（23）同心；所述烘烤装置（7）及所述晶振厚度检测装置（8）用电缆连接于烘烤、晶振电极馈入电极（16）；所述晶振窗口（23）的中心与衬底窗口（22）中心在同一径向线上，并且在衬底窗口（22）与主衬底板（6）的中心的中间；所述衬底窗口（22）的中心到主衬底板（6）的中心的距离与衬底窗口（22）的中心到真空室（17）的中心的距离是等同的。

4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主挡板（3）上开有一个衬底窗口（22）及两个晶振窗口（23），其中一个晶振窗口（23）的中心同衬底窗口（22）的中心在同一径向位置上，一个晶振窗口（23）的中心在圆周的位置与衬底窗口（22）的中心要错开真空室（17）下部沉积源的一个位置，所述两个晶振窗口（23）在同一圆周上；所述衬底窗口（22）的中心到主挡板（3）的中心的距离与衬底窗口（22）的中心到真空室（17）的中心的距离是等同的。

5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主挡板（3）上的晶振窗口（23）的中心及主挡板（3）的中心之间的径向距离与所述主衬底板（6）上的晶振窗口（23）的中心及主衬底板（6）的中心之间的径向距离是等同的。

6.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主掩膜板（4）上开有m个晶振窗口（23）及n个掩膜窗口（24），所述m个晶振窗口（23）圆周均匀分布，所述n个掩膜窗口（24）圆周均匀分布，所述掩膜窗口（24）上部装有掩膜框（18），所述掩膜框（18）与衬底架（5）是可动配合插入装置；所述m的取值为m≥2，所述n的取值为n≥2，所述m=n；每两个晶振窗口（23）及掩膜窗口（24）之间在径向上位于最近位置处。

7.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述主掩模板上的晶振窗口（23）及掩膜窗口（24）到主掩膜板（4）中心的径向距离分别与所述主衬底板（6）上的晶振窗口（23）及衬底窗口（22）到主衬底板（6）中心的径向距离相同。

8.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积源为磁控溅射靶（20）、电子枪坩埚（28）、电阻蒸发源（1）或束源炉（19）中的任意一种，位于真空排气口（21）的周围。

9.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述屏蔽板（2）包括内屏蔽板（25）、外屏蔽板（26）以及中隔屏蔽板（27），所述内屏蔽板（25）及外屏蔽板（26）位于内外两圆周上，所述中隔屏蔽板（27）圆周均布在所述内屏蔽板（25）与所述外屏蔽板（26）构成的圆环上。