[发明专利]双面光刻机的对位结构及对位方法有效

专利信息
申请号: 201210369733.3 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103713477A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 徐春云 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 双面 光刻 对位 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种双面光刻机的对位结构,其特征在于,所述对位结构包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记,所述“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成,所述辅助对位标记为阶梯状,每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。

2.根据权利要求1所述的对位结构,其特征在于,所述辅助对位标记设置为八个,主对位标记上下左右分别设有两个辅助对位标记,所述两个辅助对位标记沿水平主对位标记或垂直主对位标记的对称轴线对称设置。

3.根据权利要求2所述的对位结构,其特征在于,所述每个辅助对位标记中的相邻的两个长方形有一条边在同一条直线上,且同一个辅助对位标记中所有长方形的与长垂直的对称轴线为同一条直线。

4.根据权利要求1所述的对位结构,其特征在于,所述主对位标记的水平主对位标记和垂直主对位标记均为长方形,长度均设为100μm,宽度均设为20μm。

5.根据权利要求1或3所述的对位结构,其特征在于,所述辅助对位标记中长方形的宽度设为10μm,长度为公差等于2μm的等差数列。

6.根据权利要求5所述的对位结构,其特征在于,所述辅助对位标记中长度最小的长方形与主对位标记的水平距离或垂直距离最大,且辅助对位标记中长方形的最小长度设为8μm。

7.根据权利要求6所述的对位结构,其特征在于,所述辅助对位标记与主对位标记的水平距离或垂直距离设为40μm,相邻的两个辅助对位标记的水平距离或垂直距离设为8μm。

8.一种如权利要求1所述的双面光刻机中对位结构的对位方法,其特征在于,所述方法包括:

S1、通过CCD成像系统获取静态掩膜版上的左右两个对位结构,并通过图像采集系统采集图像数据并通过计算机进行对位结构的处理、定位及显示,其中,所述对位结构包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记,所述“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成,所述辅助对位标记为阶梯状,辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成;

S2、将圆片放置于掩膜版上,调节圆片的位置,使圆片上的左右两个对位结构与掩膜版上的左右两个对位结构重合,完成圆片的正面曝光;

S3、翻转圆片放置于掩膜版上,调节圆片的位置,使圆片上的左右两个对位结构与计算机中记录的掩膜版上左右两个对位结构重合,完成圆片的背面曝光。

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