[发明专利]一种去除SixNy残留物的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池硅片处理方法，具体地说是一种去除硅片上SixNy残留物的处理方法。 

背景技术

随着市场品质要求日益增高，对电池片外观的要求越来越严格。其中在镀膜过程中会形成很多的不良半成品片，例如发红片、彩虹片、色差片、脏片等，这些异常片会造成产线的良率下降以及客户抱怨的增多，所以处理这些不良半成品片在所难免。 

高浓度的氢氟酸对于SixNy膜具有很好的去除作用，但是受清洗时间、溶液浓度、清洁度影响，硅片表面残留物可能不能完全去除，此时就不能重新制绒以免造成污染。 

发明内容

发明目的：是针对现有技术存在的不足，提供一种能够彻底去除硅片上SixNy残留物的处理方法。 

技术方案：为实现上述目的，本发明提供了一种去除SixNy残留物的处理方法，该方法的具体步骤如下： 

（1）将质量百分比为1%-1.2%的氢氧化钠NaOH、体积比3.0%-3.6% H₂O₂溶液混合，加热升温到63℃-67℃；

（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min-4min；

（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡40s-60s；

（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，硅片慢提拉速度用时间评估，时间为20-40s，然后烘干即可。

本发明利用NaOH与H₂O₂混合液能将不能完全去除SixNy膜的异常片恢复到制绒前状态，保证此硅片的品质与正常硅片基本一致。 

本发明中所述H₂O₂的目的是去除有机物，NaOH与Si反应起粗抛作用，去除表面损伤以及表面残留物，并且增强H₂O₂氧化能力； 

Si+2NaOH+H₂O==Na₂SiO₃+2H₂

而氢气不断从溶液中溢出，使反应不断进行，生成溶于水硅酸钠，经过此反应不会对硅片性能有任何影响。

有益效果：本发明所述的去除SixNy残留物的处理方法，具有以下优点： 

本发明能够处理氢氟酸溶液不能完全去除SixNy膜的异常片，对其进行处理后可重新制绒，工艺简单，无需增加额外的设备，对硅片性能无影响，提高生产线的良率。

附图说明

图1为本发明的示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。 

  如图1所示的一种去除SixNy残留物的处理方法，具体步骤如下： 

（1）将质量百分比为1.1%的氢氧化钠、体积比为3.3%的H₂O₂水混合液,加热温度到65℃；

（2）将硅片放入上述溶液中浸泡3 min；

（3）将浸泡后的硅片放入在水中浸泡3.5min；

（4）将水中浸泡的硅片慢慢提拉，50S将硅片从水中完全提拉离水面，然后烘干即可。