[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1. 一种光电转换装置，包括：

第一电极；

第二电极；

所述第一电极与所述第二电极之间的具有一导电型的结晶硅衬底；

所述结晶硅衬底与所述第一电极之间的具有单层结构或叠层结构的第一硅半导体层，所述第一硅半导体层具有与所述结晶硅衬底的导电型相反的导电型；

所述第一硅半导体层与所述第一电极之间的透光导电膜；以及

所述结晶硅衬底与所述第二电极之间的具有单层结构或叠层结构的第二硅半导体层，所述第二硅半导体层具有与所述结晶硅衬底相同的导电型，

其中，所述第一硅半导体层的载流子浓度在所述第一硅半导体层的第一部分比在所述第一硅半导体层的第二部分高，

其中，所述第一硅半导体层的所述第一部分在所述透光导电膜与所述第一硅半导体层之间的界面附近，

其中，所述第一硅半导体层的所述第二部分在所述结晶硅衬底与所述第一硅半导体层之间的界面附近，

其中，所述第二硅半导体层的载流子浓度在所述第二硅半导体层的第一部分比在所述第二硅半导体层的第二部分高，

其中，所述第二硅半导体层的所述第一部分在所述第二电极与所述第二硅半导体层之间的界面附近，以及

其中，所述第二硅半导体层的所述第二部分在所述结晶硅衬底与所述第二硅半导体层之间的界面附近。

2. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底具有n型导电型，所述第一硅半导体层具有p型导电型，并且所述第二硅半导体层具有n型导电型。

3. 根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括所述第二硅半导体层与所述第二电极之间的透光导电膜。

4. 根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底是单晶硅衬底。

5. 一种光电转换装置，包括：

第一电极；

第二电极；

所述第一电极与所述第二电极之间的具有一导电型的结晶硅衬底；

所述结晶硅衬底与所述第一电极之间的具有与所述结晶硅衬底的导电型相反的导电型的第一硅半导体层；

所述第一硅半导体层与所述第一电极之间的具有与所述结晶硅衬底的导电型相反的导电型的第二硅半导体层；

所述第二硅半导体层与所述第一电极之间的透光导电膜；

所述结晶硅衬底与所述第二电极之间的具有与所述结晶硅衬底相同的导电型的第三硅半导体层；以及

所述第三硅半导体层与所述第二电极之间的具有与所述结晶硅衬底相同的导电型的第四硅半导体层，

其中，所述第一硅半导体层具有比所述第二硅半导体层低的载流子浓度，以及

其中，所述第三硅半导体层具有比所述第四硅半导体层低的载流子浓度。

6. 根据权利要求5所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底具有n型导电型，所述第一硅半导体层和所述第二硅半导体层具有p型导电型，并且所述第三硅半导体层和所述第四硅半导体层具有n型导电型。

7. 根据权利要求5所述的光电转换装置，还包括所述第四硅半导体层与所述第二电极之间的透光导电膜。

8. 根据权利要求5所述的光电转换装置，其中所述第一硅半导体层的暗电导率为1×10^-10S/cm以上且1×10^-5S/cm以下。

9. 根据权利要求5所述的光电转换装置，其中所述第三硅半导体层的暗电导率为1×10^-9S/cm以上且1×10^-4S/cm以下。

10. 根据权利要求5所述的光电转换装置，其中所述结晶硅衬底是单晶硅衬底。