[发明专利]一种镁合金金相切片用化学腐蚀液及其应用有效
申请号: | 201210367285.3 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102888606A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 艾庐山 | 申请(专利权)人: | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/22 | 分类号: | C23F1/22;G01N1/32 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 徐勋夫 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镁合金 金相 切片 化学 腐蚀 及其 应用 | ||
技术领域
本发明涉及金相切片化学腐蚀领域技术,尤其是指一种镁合金金相切片用化学腐蚀液及其在镁合金金相切片中的应用。
背景技术
由于金属中合金成分和组织的不同,造成腐蚀能力的差异,腐蚀后使各组织间、晶界和晶内产生一定的衬度,金属组织得以显示。常用的金相组织显示方法有:(1)化学浸蚀法;(2)电解浸蚀法;(3)金相组织特殊显示法,其中化学浸蚀法最为常用。
化学腐蚀是将抛光好的样品磨面在化学腐蚀剂中腐蚀一定时间,从而显示出试样的组织。纯金属及单相合金的腐蚀是一个化学溶解的过程,由于晶界上原子排列不规则,具有较高的自由能,所以晶界易受腐蚀而呈凹沟,使组织显示出来,在显微镜下可以看到多边形的晶粒。
试样腐蚀的深浅程度要根据试样的材料、组织和显微分析的目的确定,同时还与观察者所需要的显微镜的放大率有关;放大率高,应腐蚀浅一些,放大率低则可腐蚀深一些。现有镁合金金相切片进行化学腐蚀过程中,由于腐蚀液使用不当或操作不当等原因,造成晶体表面不均匀、表面刮花等不良现象。
发明内容
有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种一种对镁合金金相切片进行化学腐蚀的方法,其对化学腐蚀液进行了优化配置,使得操作过程简易,且所制得的晶片得到晶体表面均匀一致,无过侵,无刮花的晶片,易于观察,能够准确清晰的表现出镁合金的晶体结构。
为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:一种镁合金金相切片用化学腐蚀液,按体积百分比100%计,包括有
甘油 78~82%
盐酸 5.5~6.5%
硝酸 3.5~4.5%
乙酸 9~11%
该甘油浓度为90wt%,即丙三醇在溶液中质量百分比为90%;该盐酸浓度为36~38wt%,即氯化氢在溶液中的质量百分比为36~38%;该硝酸浓度为65~68wt%,即硝酸氢在溶液中的质量百分比为65~68%;该乙酸浓度为99wt%,即乙酸在溶液中的质量百分比为99%。
一种上述化学腐蚀液在镁合金金相切片中的应用,包括如下步骤:
a、将镁合金金相切片在纯水中浸洗后取出并进行干燥;
b、将化学腐蚀液滴在镁合金金相切片上,在10~40℃的温度下腐蚀金相表面10~20秒;
c、将腐蚀后的镁合金金相切片用去离子水冲洗后进行干燥处理。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,有上述方案可知:本发明通过有效的化学药液腐蚀工艺,去除机械加工工序所造成的金相表面损伤层,消除金相组织内部应力,制作能观察到晶体结构生长状态要求的金相切片,得到晶体表面均匀一致,无过侵,无刮花的晶片。
附图说明
图1是本发明中实施例1之镁合金金相切片晶体表面结构示意图;
图2是本发明中实施例2之镁合金金相切片晶体表面结构示意图;
图3是本发明中实施例3之镁合金金相切片晶体表面结构示意图。
具体实施方式
实施例1
一种镁合金金相切片用化学腐蚀液,按体积百分比100%计,包括有
甘油 78%
盐酸 6.5%
硝酸 4.5%
乙酸 11%
该甘油浓度为90wt%,该盐酸浓度为38wt%,该硝酸浓度为68wt%,该乙酸浓度为99wt%。
一种上述化学腐蚀液在镁合金金相切片中的应用,包括如下步骤:
a、将镁合金金相切片在纯水中浸洗后取出并进行干燥;
b、将化学腐蚀液滴在镁合金金相切片上,在10℃的温度下腐蚀金相表面20秒;
c、将腐蚀后的镁合金金相切片用去离子水冲洗后进行干燥处理。
经干燥处理后的镁合金金相切片利用金相显微镜观察,观察倍数为100倍,观察结果如图1所示,晶体表面均匀一致、无过侵、无刮花且无变形层和模糊层。
实施例2
一种镁合金金相切片用化学腐蚀液,按体积百分比100%计,包括有
甘油 80%
盐酸 6%
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市凯昶德电子科技股份有限公司,未经东莞市凯昶德电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210367285.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。