[发明专利]半导体封装件中垂直配置的集成电路之间的无线通信有效
申请号: | 201210366306.X | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103035609A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 热苏斯·阿方索·卡斯坦达;阿里亚·列扎·贝赫扎德;艾哈迈德礼萨·罗福加兰;赵子群;迈克尔·布尔斯 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 垂直 配置 集成电路 之间 无线通信 | ||
技术领域
本发明主要涉及集成电路的功能模块之间的无线通信,具体地,涉及将波导与功能模块结合以利用多路接入传输方案进行无线通信。
背景技术
半导体器件制造工序通常用于将集成电路制造在半导体衬底上以形成半导体晶圆。经常将各种半导体晶圆之间的集成电路封装在一起以形成电子设备,诸如移动设备或个人计算设备。这些集成电路经常利用导线和/或迹线彼此互连并利用这些导线和/或迹线相互通信。
通常,导线和/或迹线适用于在使用低数据速率和/或低频率以进行相对短的距离通信时集成电路之间的通信。然而,当数据速率、频率和/或距离增加时,导线和/或迹线的物理特性可以使集成电路之间的通信劣化。例如,在这些增加的数据速率、频率和/或距离处,导线和/或迹线的不期望的或寄生电容和/或电感会使集成电路之间的通信劣化。
电子设计师正在制造新的电子设备,所述新的电子设备包括以增加的数据速率和/或频率并在更长的距离内进行通信的更多集成电路,从而充分利用导线和/或迹线来解决通信问题。因此,需要在更长的距离增加的数据速率和/或频率时使集成电路互连,克服上述缺点。根据以下具体实施方式,本发明的其他方面和优点将变得显而易见。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种集成电路,包括:第一组功能模块,形成在可用制造层的第一配置上;第二组功能模块,形成在可用制造层的第二配置上,可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置;以及导电元件,耦接至可用制造层的第一配置和第二配置,其中,所述集成电路被构造和配置为从具有第二导电元件的第二集成电路偏离,从而使得所述导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。
优选地,可用制造层的第一配置和第二配置包括:扩散和多晶硅层,形成所述功能模块的部件;以及导电层,形成所述部件之间的互连。
优选地,可用制造层的所述第一配置与多个绝缘层集成,以及其中,多个绝缘层中的一个绝缘层耦接至可用制造层的第二配置中的一个可用制造层以形成所述垂直配置。
优选地,可用制造层的第一配置和第二配置使用物理连接耦接在一起。
优选地,导电元件的第一部分形成在可用制造层的第一配置中,且导电元件的第二部分形成在可用制造层的第一配置中,所述第一部分耦接至所述第二部分以形成第一导电元件。
根据本发明的另一个方面,提供了一种集成电路,包括:第一组功能模块,形成在第一半导体衬底的可用制造层的第一配置上;第二组功能模块,形成在第二半导体衬底的可用制造层的第二配置上,可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置;以及集成波导,耦接至所述垂直配置,被构造为通信耦接所述第一组功能模块和所述第二组功能模块。
优选地,集成波导包括:第一导电元件,形成在第三半导体衬底的可用制造层的第三配置中的第一可用制造层上;以及第二导电元件,形成在可用制造层的第三配置中的第二可用制造层上。
优选地,第一导电元件和第二导电元件被构造和配置为分别形成第一平行板和第二平行板,以及其中,所述第一平行板和所述第二平行板被构造和配置为形成平行板波导。
优选地,第一导电元件和第二导电元件被表征为由空腔区域分开。所述空腔区域为所述第一导电元件和所述第二导电元件之间的不含导电材料的区域。
优选地,第一导电元件包括多个相位开口部。所述多个相位开口部可构造为打开或关闭以对集成波导的运行特征进行动态配置。
优选地,第一组功能模块包括波导控制器模块,被构造为控制多个相位开口部的每一个是否打开或关闭。
根据本发明的又一方面,提供了一种多芯片模块(MCM),包括:第一集成电路,包括第一导电元件;以及第二集成电路,包括第二导电元件,其中,第一集成电路被构造和配置为从第二集成电路偏离,从而使得第一导电元件和第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。
优选地,第一集成电路包括:第一组功能模块,形成在可用制造层的第一配置上;以及第二组功能模块,形成在可用层的第二配置上,可用制造层的第一配置耦接至可用制造层的第二配置以形成垂直配置。所述导电元件的第一部分形成在可用制造层的第一配置中,且所述导电元件的第二部分形成在可用制造层的所述第一配置中,所述第一部分耦接至所述第二部分以形成所述第一导电元件。
优选地,第一集成电路和第二集成电路被构造为使用多路接入传输方案彼此进行通信或使用集成波导彼此进行通信。
附图说明
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