[发明专利]一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法

权利要求书

1.一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，其特征在于，所述方法包括：

保持所述反应腔室内部的压力在预定压力范围内，并将清洁等离子体在所述反应腔室内部维持预定时间段以完全去除所述反应腔室内部的沉积物，其中所述清洁等离子体采用如下方法产生：

向所述反应腔室内部通入清洁气体，并将所述清洁气体在所述反应腔室内部转化为所述清洁等离子体；和/或，

在所述反应腔室外部将所述清洁气体转化为所述清洁等离子体，并将所述清洁等离子体通入所述反应腔室内部；

其中所述清洁气体包括含氧气体和含卤素气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁气体还包括Ar。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述预定时间段内，对所述反应腔室加热使所述反应腔室内部的温度保持在70℃至80℃之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧气体包括O₂、O₃、CO₂、CO、H₂O₂及N₂O中的一种或者几种的组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含卤素气体包括HCl、BCl₃、Cl₂、H₂/Cl₂的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述清洁气体包括：H₂/Cl₂/CO₂的混合气体、H₂/Cl₂/O₂的混合气体、HCl/O₂的混合气体、HCl/CO₂的混合气体、BCl₃/O₂的混合气体中的一种或者几种的组合。

7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述预定压力范围为0.1~10托，所述预定时间段大于3分钟。

8.一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，其特征在于，所述方法包括：

向所述反应腔室内部通入清洁气体，所述清洁气体包括含氧气体和含卤素气体；

保持所述反应腔室内部的压力在预定压力范围内，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间预定时间段以完全去除所述反应腔室内部的沉积物。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述清洁气体还包括Ar。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含氧气体包括O₂、O₃、CO₂、CO、H₂O₂及N₂O中的一种或者几种的组合。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含卤素气体包括HCl、BCl₃、Cl₂、H₂/Cl₂的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。

12.根据权利要求8-11任一项所述的方法，其特征在于，所述清洁气体包括：H₂/Cl₂/CO₂的混合气体、H₂/Cl₂/O₂的混合气体、HCl/O₂的混合气体、HCl/CO₂的混合气体、BCl₃/O₂的混合气体中的一种或者几种的组合。

13.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述预定压力范围为0.1~10托，所述预定时间段大于3分钟。