[发明专利]用于FinFET器件的鳍结构有效
| 申请号： | 201210362410.1 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367440A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 乔治斯·威廉提斯;马克·范·达尔;布兰丁·迪里耶;查理德·奥克斯兰德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 器件 结构 | ||
1.一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构，包括：
衬底；
第一半导体材料，设置在所述衬底上；
浅沟槽隔离(STI)区，设置在所述衬底上方并形成在所述第一半导体材料的相对侧上；以及
第二半导体材料，形成在所述STI区上设置的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度。
2.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，能够相对于所述第二半导体材料选择性地蚀刻所述第一半导体材料。
3.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第一半导体材料的顶面通常与所述第一鳍和所述第二鳍的底面共面。
4.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述第一半导体材料的顶面上方竖直凸出。
5.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第一半导体材料是IV族、III-V族以及II-VI族半导体材料中的一种。
6.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第二半导体材料是IV族、III-V族以及II-VI族半导体材料中的一种。
7.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第一半导体材料是第一硅锗(SiGe)合金，以及所述第二半导体材料是第二SiGe合金。
8.根据权利要求1所述的鳍结构，其中，所述第一半导体材料是锗，以及所述第二半导体材料是硅。
9.一种场效应晶体管(FinFET)器件，包括：
衬底；
第一半导体材料，设置在所述衬底上；
浅沟槽隔离(STI)区，设置在所述衬底上方并形成在所述第一半导体材料的相对侧上；
第二半导体材料，形成在所述STI区上设置的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度；以及
栅极层，形成在所述第一鳍、在所述第一鳍和所述第二鳍之间设置的所述第一半导体材料的顶面以及所述第二鳍的上方。
10.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，包括：
在衬底上形成第一半导体材料；
在所述衬底和所述第一半导体材料的下部上方形成浅沟槽隔离(STI)区；
沿着所述第一半导体材料的上部的侧壁外延生长第二半导体材料；以及
选择性地蚀刻掉所述第一半导体材料的所述上部以形成第一鳍和第二鳍，所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度。
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