[发明专利]切割/芯片接合薄膜

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10~30摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70~90摩尔%范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，

所述丙烯酸酯为CH₂=CHCOOR，式中，R为碳原子数6~10的烷基，

所述芯片接合薄膜含有环氧树脂和丙烯酸类树脂而构成。

2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述含羟基单体为选自由（甲基）丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羟基己酯、（甲基）丙烯酸-8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸-10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羟基月桂酯和（甲基）丙烯酸-（4-羟甲基环己基）甲酯组成的组中的至少任意一种。

3.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。

4.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述聚合物的重均分子量在35万至100万的范围内。

5.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合剂层的紫外线照射前的23℃下的拉伸弹性模量在0.4~3.5MPa的范围内，紫外线照射后的23℃下的拉伸弹性模量在7~100MPa的范围内。

6.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合剂层不含丙烯酸。