[发明专利]可控硅中频电源的控制系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种中频电源的控制系统，尤指一种可控硅中频电源的控制系统。

背景技术

中频电源是一种静止变频装置，将三相工频电源变换成单相电源。对各种负载适应力强、适用范围广，主要应用于各种金属的熔炼、保温、烧结、焊接、淬火、回火、透热、金属液净化、热处理、弯管、以及晶体生长等。

可控硅中频电源作为中频电源中的一种先进代表，其采用国际先进ISP工业电路控制，全数字化运算，硬软件可靠保护，功能更加齐全，适应于金属的熔炼、保温、透热、金属热处理、淬火、烧结等场合。负载由感应线圈和补偿电容器组成，连接成并联谐振电路。

当前，可控硅中频电源控制板主要采用集成电路结构控制，且为了满足对可控硅中频电源各种参数等的控制需求，当前用以控制可控硅中频电源的集成电路板的走线结构较为复杂，而且，对于某一特定的所述集成电路板只能适用于某一特征的可控硅中频电源，即所述集成电路板的通用性差。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种可控硅中频电源的控制系统，线路简单、结构稳定且通用性较好。

本发明提供的可控硅中频电源的控制系统包括一脉冲电路板、设于所述脉冲电路板内的启动电路、截压保护电路、过压保护电路、截流保护电路、过流保护电路、过热保护电路、水压保护电路、三相电源缺相保护电路、以及连接且控制上述各电路的CPLD芯片。

基于以上技术方案的公开，本发明具备如下有益效果：

于本发明提供的可控硅中频电源的控制系统中，借由所述CPLD芯片中的相关程序分别控制所述启动电路、所述截压保护电路、所述过压保护电路、所述截流保护电路、所述过流保护电路、所述过热保护电路、所述水压保护电路、所述三相电源缺相保护电路，且可于相应的程序中设置相应的参数，当某一电路中的指标超出设置的相应参数，就对其进行报警，因而，所述可控硅中频电源的控制系统，不再仅仅借助电路去实现各种控制，而是采用电路、芯片及设于芯片内的程序相结合，因而，在结构上简化，且各功能电路都是模块化的，相互之间影响较小，从而，使得，所述可控硅中频电源的控制系统稳定性好，此外，可将所述CPLD芯片的程序中参数进行调节，以适应不同的可控硅中频电源控制的需要，即所述可控硅中频电源的控制系统的通用性好。

附图说明

图1为本发明提供的可控硅中频电源的控制系统的结构示意图。

附图标号说明

可控硅中频电源的控制系统100

启动电路1

截压保护电路2

过压保护电路3

截流保护电路4

过流保护电路5

过热保护电路6

水压保护电路7

三相电源缺相保护电路8

CPLD芯片9

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案：

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种可控硅中频电源的控制系统100，线路简单、结构稳定且通用性较强。

请参阅图1，本发明提供的可控硅中频电源的控制系统100包括一脉冲电路板（未图示）、设于所述脉冲电路板内的启动电路1、截压保护电路2、过压保护电路3、截流保护电路4、过流保护电路5、用以保护功率元件的过热保护电路6、水压保护电路7、三相电源缺相保护电路8、以及连接且控制上述各电路的CPLD芯片9，因而，借由所述CPLD芯片9中的相关程序分别控制所述启动电路1、所述截压保护电路2、所述过压保护电路3、所述截流保护电路4、所述过流保护电路5、所述过热保护电路6、所述水压保护电路7、所述三相电源缺相保护电路8，且可于相应的程序中设置相应的参数，当某一电路中的指标超出设置的相应参数，就对其进行报警；此外，可将所述CPLD芯片9的程序中参数进行调节，以适应不同的可控硅中频电源控制的需要。

基于以上技术方案的公开，本发明具备如下有益效果：