[发明专利]液晶介质混合物及使用其的液晶显示器无效

专利信息
申请号: 201210360723.3 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN102876336A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 冯惺;顾毓波;杨流洋;钟新辉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: C09K19/56 分类号: C09K19/56;G02F1/1337
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶 介质 混合物 使用 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种液晶介质混合物及使用其的液晶显示器。 

背景技术

在LCD行业中,近年来发展起来的PSVA(Polymer stabilized vertical alignment,聚合物稳定垂直对齐)技术相对传统的TN/STN(Twisted nematic/Super twisted nematic,扭曲向列型/超扭曲向列型)技术有可视角宽、对比高、响应快等诸多优点,而相对其他的VA技术,如MVA(Multi-domain vertical alignment,多象限垂直配向型)、PVA(Patterned vertical alignment,垂直取向构型)技术,在穿透率、制程简便性上也具有相当的优势,所以PSVA已成为现今TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)行业的一大主流技术。 

PSVA的关键制程中:采用负型液晶材料,未加电场时液晶分子垂直于基板表面排列,液晶材料中添加了一定量在紫外光照射下可发生聚合反应的单体,简称RM。在基板上滴加液晶进行组合之后,对面板施加合适频率、波形、电压的信号,使液晶分子沿预先设定的方向倾倒,同时采用紫外光照射面板,使RM聚合形成高分子沉积于面板内的两个基板表面,此即为聚合物bump,可以使液晶分子在未加电压的情况下具有一定的预倾角,由此来加快液晶分子的响应速度。相对摩擦(Rubbing)只能单一方向配向,这个方法的好处是可以在面板内实现不同区域多角度配向(产生预倾角)。 

根据美国专利US7169449等的揭示,使用在PSVA技术中的RM(Reactive Mesogen,反应性介晶体)所含的光反应性基团通常为甲基丙烯酸酯基、丙烯酸酯基、乙烯基、乙烯氧基、环氧基等,其中最常用的是甲基丙烯酸酯基。但是直接使用UV(紫外)光照射使这些RM反应存在一些问题:能使含上述此类基团的RM发生光聚合反应的主要波长范围为200-300nm,波长超过300nm的紫外光虽然也可使RM发生反应,但效率很低,速度非常慢,不具备良好的量产 性,因此必须采用波长在300nm以下的光源来照射面板,使RM发生反应。然而使用300nm以下的光源会给面板的制作带来很多缺点和难度:首先,300nm以下的紫外光具有较高的能量,会使配向层材料聚酰亚胺(Polyimide)以及液晶分子发生降价破坏,造成面板的VHR(Voltage holding ratio电压保持率)降低、Image sticking(影响残留)变严重、RA(Reliability analysis可靠性分析)结果变差等;其次,用来制作TFT-LCD基板的玻璃通常对300nm以下的紫外光具有一定的吸收作用,会使光源的照射效率下降;更为致命的是液晶材料本身对300nm以下的紫外光具有强吸收作用,波长在300nm以下的紫外光完全不能穿过液晶材料,也就是说来自光源的绝大部分紫外光被液晶材料吸收(起破坏作用),只有极少部分被RM吸收发生聚合反应,这部分发生在入光侧极浅的位置,这又导致入光侧与背光侧RM反应的不均匀性,使面板的配向效果下降。 

发明内容

本发明的所要解决的技术问题在于,提供一种液晶介质混合物其添加有对波长300-360nm的紫外光有较强的吸收作用的敏化剂,通过该敏化剂使可聚合单体反应波长向长波长移动,聚合反应效率高且形成聚合物均匀性好。 

以及提供一种液晶显示器,通过上述液晶介质混合物可采用波长300-360nm的紫外光照射,避开了液晶材料的吸收波段,降低紫外光对液晶材料及配向材料PI(聚酰亚胺)的破坏作用,且提高可聚合单体的聚合反应效率及均匀性,提高面板的配向效果,从而可提高面板的品质和寿命。 

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种液晶介质混合物,其包括组分:液晶材料、可聚合单体及敏化剂,该液晶材料包括在可聚合单体聚合时对聚合反应稳定的烯基化合物,所述敏化剂对波长在300-360nm范围的紫外光具有强吸收性,其为以下分子结构式所示中的一种或多种: 

式I 

式II 

式III 

式IV 

式V 

式VI 

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