[发明专利]一种采用新型合金籽晶层的铜互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210360376.4 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102832198A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;张卫;孙清清;徐赛生;王鹏飞;丁士进 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 新型 合金 籽晶 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种铜互连结构，以现有铜互连结构为基础，其特征在于采用Co-Ru材料作为铜互连结构的籽晶层。
2. 一种铜互连结构的制备方法，其特征在于具体步骤为：
化学清洗硅基衬底；
在硅基衬底上依次形成一层刻蚀阻挡层、绝缘介质层；
通过光刻、刻蚀工艺，定义出互连位置，形成金属沟槽、接触孔或通孔；
在上述步骤形成的结构上，利用PVD设备生长TaN/Ta薄膜，作为扩散阻挡层；
利用等离子原子层淀积技术在沟槽或通孔上生长一层Co-Ru，作为电镀铜籽晶层；
再直接电镀铜，获得铜互连结构；
最后用化学机械抛光工艺平整化晶片表面。
3. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的绝缘介质层材料为SiO2、SiOF、SiCOH或多孔的SiCOH。
4. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的刻蚀阻挡层材料为氮化硅。
5. 根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述PEALD方法生长Co-Ru材料时，使用的Co-Ru反应前驱体为Co(Cp)2和Ru(Cp)2，再通入NH3或H2还原气体，反应腔体的温度在200~400 oC, 反应的基压在1~4 Torr。
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