[发明专利]微波处理装置和被处理体的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及将微波导入处理容器进行规定的处理的微波处理装置和使用微波处理装置的被处理体的处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片实施成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、改良处理、退火处理等的各种热处理。通常，这种热处理是通过使用具备加热用的灯或加热器的基板处理装置对半导体晶片加热而进行的。

然而，近年来，作为对半导体晶片实施热处理的装置，已知有使用微波来代替灯或加热器的装置。例如，在专利文献1中记载有使用微波能量进行硬化、退火（anneal）、膜形成的热处理系统。此外，在专利文献2中记载有通过对在表面形成有成膜材料层的半导体晶片照射电磁波（微波）加热成膜材料来形成薄膜的热处理装置。在这种微波处理装置中，特别能够抑制杂质的扩散并形成浅的活性层，能够修复晶格缺陷。

在微波处理装置中，微波的输出（功率）由被供给到用于生成微波的微波源的电压或电流决定。在专利文献3中记载有电波（微波）输出大小由磁控管的阳极电流大小决定的技术。在专利文献4中记载有通过改变被施加于磁控管的端帽（电极）的电位对微波的输出进行操作的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-516375号公报

专利文献2：日本特开2010-129790号公报

专利文献3：日本特开平4-160791号公报

专利文献4：日本特开平10-241585号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，被导入到处理容器的微波，在处理容器内形成驻波。在用于处理处理晶片的状态持续的期间，如果驻波的波腹和波节的位置固定，则产生加热不均匀等，可能无法对晶片W进行均匀的处理。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和使用该微波处理装置的被处理体的处理方法。

用于解决课题的方案

本发明的微波处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理体的处理容器；

微波导入装置，其具有生成用于处理上述被处理体的微波的至少1个微波源，将微波导入处理容器；和

控制微波导入装置的控制部，

控制部在用于处理被处理体的状态持续的期间，使微波的频率变化。

本发明的被处理体的处理方法，是使用微波处理装置处理被处理体的处理方法，该微波处理装置包括：收容被处理体的处理容器；和微波导入装置，具有生成用于处理被处理体的微波的至少1个微波源，将微波导入处理容器，该处理方法的特征在于：

本发明的被处理体的处理方法，在用于处理被处理体的状态持续的期间，使微波的频率变化。

在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，通过改变微波的频率，使处理容器内的驻波的状态变化。

在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，也可以在用于处理被处理体的状态下，生成微波的状态和不生成微波的状态交替反复多次。在这种情况下，本发明的控制部既可以在生成1次的微波的状态的期间，使微波的频率变化，也可以按（在）生成微波的每个状态，使微波的频率变化。同样，本发明的被处理体的处理方法，既可以在生成1次的微波的状态的期间，使微波的频率变化，也可以按生成微波的每个状态，使微波的频率变化。

此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波源也可以通过被施加规定的电压而生成微波。这种情况下，本发明中的控制部，也可以通过改变施加于微波源的电压，使微波的频率变化。同样，本发明的被处理体的处理方法，也可以通过改变施加于微波源的电压，使微波的频率变化。

此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波导入装置包括：生成微波的多个微波源；和将在多个微波源中生成的微波传送到处理容器的多个传送通路。这种情况下，微波导入装置能够将多个微波同时导入处理容器。

此外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波用于照射被处理体来处理被处理体。

在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，如上所述，在用于处理被处理体的状态持续的期间，通过改变微波的频率，能够使处理容器内的驻波的状态变化。由此，根据本发明，能够对被处理体进行均匀的处理。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的微波处理装置的概略结构的截面图。

图2是表示本发明的一实施方式的微波导入装置的高电压电源部的概略结构的说明图。