[发明专利]具有局部互连金属板的 MOM 电容器以及相关方法

权利要求书

1.一种半导体管芯中的金属-氧化物-金属（MOM）电容器，所述MOM电容器包括：

共享平行于所述半导体管芯的第一金属化层的平面并且位于其下方的平面的第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板；

在所述第一多个电容器极板与所述第二多个电容器极板之间的局部层间电介质；

所述第一和第二多个电容器极板由用于连接位于所述第一金属化层下方的器件层中形成的器件的局部互连金属构成。

2.根据权利要求1所述的MOM电容器，进一步包括用于互连所述第一多个电容器极板的第一电容器导板，以及用于互连所述第二多个电容器极板的第二电容器导板，所述第一和第二电容器导板包括用于在所述器件层中形成的所述器件之间提供连接的另一种局部互连金属。

3.根据权利要求1所述的MOM电容器，其中所述第一多个电容器极板进一步包括下部局部互连金属，并且所述第二多个电容器极板进一步包括所述下部局部互连金属。

4.根据权利要求3所述的MOM电容器，进一步包括用于互连所述第一多个电容器极板的第一电容器导板，以及用于互连所述第二多个电容器极板的第二电容器导板，所述第一和第二电容器导板包括用于在所述器件层中形成的所述器件之间提供连接的另一种局部互连金属。

5.根据权利要求1所述的MOM电容器，其中所述局部互连金属包括难熔金属。

6.一种用于制造半导体管芯中的金属-氧化物-金属（MOM）电容器的方法，所述方法包括：

形成共享平行于所述半导体管芯的第一金属化层的平面并且位于其下方的平面的第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板，通过局部层间电介质将所述第一多个电容器极板与所述第二多个电容器极板间隔开；

所述第一和第二多个电容器极板由用于连接位于所述第一金属化层下方的器件层中形成的器件的局部互连金属构成。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括形成用于互连所述第一多个电容器极板的第一电容器导板，以及形成用于互连所述第二多个电容器极板的第二电容器导板，所述第一和第二电容器导板包括用于在所述器件层中形成的所述器件之间提供连接的另一种局部互连金属。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一多个电容器极板进一步包括下部局部互连金属，并且所述第二多个电容器极板进一步包括所述下部局部互连金属。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括形成用于互连所述第一多个电容器极板的第一电容器导板，以及形成用于互连所述第二多个电容器极板的第二电容器导板，所述第一和第二电容器导板包括用于在所述器件层中形成的所述器件之间提供连接的另一种局部互连金属。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述局部互连的金属包括难熔金属。