[发明专利]一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210359199.8 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102842568A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;张卫;王鹏飞;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种基于碳纳米管的互连结构，其特征在于，包括：
在半导体基底表面生长的绝缘介质层；
在所述绝缘介质层中形成的互连通孔；
在所述互连通孔底部形成的底部金属；
在所述互连通孔内并位于所述底部金属上生长的碳纳米管；
在所述互连通孔内并位于所述碳纳米管周围形成的密封层；
以及在所述碳纳米管顶部形成的顶部金属。
2.如权利要求1所述的基于碳纳米管的互连结构，其特征在于，在所述碳纳米管的底部并位于所述底部金属之上形成有用于生长碳纳米管的催化剂薄膜，所述的催化剂为铁，其厚度范围为1-3纳米。
3.如权利要求1所述的基于碳纳米管的互连结构，其特征在于，所述的密封层为低介电常数的金属氧化物或者硅氧化物。
4.一种如权利要求1所述的基于碳纳米管的互连结构的制造方法，包括：
在提供的半导体基底表面生长第一层金属并刻蚀形成所述第一层金属形成底部金属接触；
在所述半导体基底表面并覆盖所述底部金属形成第一层绝缘薄膜；
刻蚀所述第一层绝缘薄膜形成互连通孔；
在所述互连通孔底部淀积一层用于生长碳纳米管的催化剂；
在所述互连通孔内生长碳纳米管；
在所述互连通孔内、所述碳纳米管周围生长密封层；
用化学机械抛光技术去除不需要的碳纳米管；
在剩余的碳纳米管顶部生长第二层金属并刻蚀所述第二层金属形成顶部金属接触。
5.如权利要求4所述的基于碳纳米管的互连结构的制造方法，其特征在于，所述的密封层为低介电常数的金属氧化物或者硅氧化物。
6.如权利要求4所述的基于碳纳米管的互连结构的制造方法，其特征在于，所述的催化剂为铁，其厚度范围为1-3纳米。
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