[发明专利]优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路设计、测试领域，特别是指一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法。

背景技术

随着集成电路的关键尺寸越来越小，对于嵌入式电可擦写非易失性存储器来说，其擦写的后的阈值电压、电流的差别也越来越小。由于工艺稳定性，以及存储器工作环境的差别，或者是存储器工作负荷引起自身温度的变化，使得存储器的实际工作参数会在自身设计参数(目标值)附近产生波动，或者不同芯片之间也有差别，即发生一定的漂移，使嵌入式电可擦写非易失性存储器并不是一直都处于最佳的工作状态。为了保证最大的擦写窗口，通常在硅片设计时会加入一定的存储器工作参数(例如，读写的电压和时间等)修正电路，然后在芯片测试时把每一个正常的芯片的相关参数都修正到目标值，并把相关偏移修正值以代码的方式存储在特定的存储器地址中。在芯片正常工作时，通过调用该组偏移修正值代码使得存储器的工作参数更接近目标值。这样可以避免因为生产线上的工艺波动和均匀性等造成的参数偏差。但是该存储器参数的修正只能选择在某个特定的温度下进行，比如：常温(25℃)或高温(85℃)下。如图1所示，在25℃下进行嵌入式电可擦写非易失性存储器参数，对于擦写电压的修正，在25℃时，不同的芯片的擦写电压具有最接近目标值8V的分布，但是在其他的温度下该擦写电压的分布变得分散而且平均值也有一定的漂移，如-25℃或85℃处。这样虽然在进行修正的工作温度下芯片的电路参数得到了修正，但是在其他的温度下，由于每个芯片间，硅片间，以及不同批次间的差异，每个芯片的存储器工作参数会发生不同量的变化，从而不能保证整个器件设计工作温度条件下，每个存储器芯片内的电可擦写非易失性存储器集成电路的读写特性都能保持一致。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，保证在不同的工作温度下，所述电可擦写非易失性存储器都能达到最佳的读写状态。

为解决上述问题，本发明提供的一种优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，包含：

在不同温度区间进行芯片读写测试，把每一个正常的电可擦写非易失性存储器工作参数的目标值的偏移修正值找出，并以代码的方式分别储存在所述电可擦写非易失性存储器电路内的某组特定地址中，使每一组偏移修正值代码分别对应某个温度区间内的目标值的偏移修正值，在所述电可擦写非易失性存储器正常工作时，通过温度传感电路读取存储器芯片温度，并调用该工作温度所对应温度区间内代码地址组内的的参数偏移修正值，再由参数设置电路对所述电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得不同电可擦写非易失性存储器在工作温度区间内的工作参数均能更接近目标值。

进一步地，所述电可擦写非易失性存储器的工作参数，是指会影响电可擦写非易失性存储器的工作特性的参数，如读写的电压和时间。

进一步地，所述电可擦写非易失性存储器的工作参数的目标值，是指所述电可擦写非易失性存储器的设计最佳工作参数。

进一步地，所述偏移修正值对应的代码被写入电可擦写非易失性存储器电路内的特定地址组中，这些特定地址专门用于存放偏移修正值代码组。

进一步地，每一组代码分别对应某个温度区间内的偏移修正值。

进一步地，所述温度区间是由每一组偏移修正值被找出时的所述电可擦写非易失性存储器芯片测试温度决定。

进一步地，通过温度传感电路取得所述电可擦写非易失性存储器芯片实时工作温度。

进一步地，偏移修正值是通过地址选择电路选中相应的偏移修正值的代码所在的地址组，然后读取电路读取相应代码，再由参数设置电路对电可擦写非易失性存储器的读写参数进行设定，使得相应的电可擦写非易失性存储器电路工作参数更接近目标值。

进一步地，所述地址选择电路是指具有能将某一特定地址选中功能的电路。本发明所述的优化电可擦写非易失性存储器读写性能的方法，通过将预先测试得出的最优电可擦写非易失性存储器电路工作参数的偏移修正值代码写入特定地址，在芯片实际工作时，将其温度通过温度传感电路读出，以此读取特定地址组中的相应温度区间的预先存储的偏移修正值代码，实时优化电可擦写非易失性存储器的读写参数，使芯片在其整个设计工作温度区间内都能保持最佳的读写状态。

附图说明

图1是普通存储器不同工作温度下的擦写电压分布图；

图2是本发明优化过后的存储器在不同温度下的擦写电压分布图；

图3是本发明所述的测试时目标值的偏移修正值找出方法示意图；