[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：

提供绝缘层，其中绝缘层覆盖至少一个半导体器件的有源区和栅极；

在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔，以便暴露所述有源区的至少一部分，其中所述连接孔包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述连接孔的第一部分邻近于所述有源区，并且第一宽度小于第二宽度；

在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔，以便暴露所述有源区的至少一部分的步骤包括：

对所述绝缘层进行刻蚀以形成具有第一宽度的开口，以便暴露所述有源区的至少一部分；

在所形成的具有第一宽度的开口基础上，对所述绝缘层再次进行刻蚀，以拓宽所述具有第一宽度的开口的一部分；

其中所述开口的未拓宽部分作为所述连接孔的第一部分，所述开口的被拓宽部分作为所述连接孔的第二部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中进一步包括：

在形成所述开口时，在绝缘层表面涂布具有第一宽度的窗口的光阻层，利用该具有第一宽度的窗口的光阻层刻蚀所述绝缘层，从而形成具有第一宽度的开口；

在所述具有第一宽度的开口内填充底部抗反射层BARC；

拓宽所述光阻层的窗口以使其具有第二宽度，利用该具有第二宽度的窗口的光阻层刻蚀所述绝缘层，从而拓宽所述开口的一部分；

去除所述底部抗反射层BARC。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述连接孔的第一部分的高度高于所述栅极的高度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，

所述半导体器件为P-MOS晶体管，所述金属材料为压缩应力型金属材料；或者

所述半导体器件为N-MOS晶体管，所述金属材料为拉伸应力型金属材料。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，

所述至少一个半导体器件至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，其中为所述第一类型晶体管的有源区连接孔填充具有第一应力类型的第一金属材料，以及为所述第二类型晶体管的有源区连接孔填充具有第二应力类型的第二金属材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔以便暴露所述有源区的至少一部分，在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触的步骤包括：

在绝缘层中为所述第一类型晶体管刻蚀形成所述连接孔，并且在所述连接孔中填充第一金属材料并进行化学机械抛光；以及

在绝缘层为所述第二类型晶体管刻蚀形成所述连接孔，并且在所述连接孔中填充第二金属材料并进行化学机械抛光。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔以便暴露所述有源区的至少一部分，在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触的步骤包括：

在绝缘层中分别为所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管刻蚀形成所述连接孔；

利用掩模遮挡用于所述第二类型晶体管的连接孔，在用于所述第一类型晶体管的连接孔中填充第一金属材料；以及

利用掩模遮挡用于所述第一类型晶体管的连接孔，在用于所述第二类型晶体管的连接孔中填充第二金属材料；

进行化学机械抛光以平坦化所形成的半导体器件的表面。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

第一类型晶体管为P-MOS晶体管，第一金属材料为压缩应力型金属材料；第二类型晶体管为N-MOS晶体管，第二金属材料为拉伸应力型金属材料；

或者，第一类型晶体管为N-MOS晶体管，第一金属材料为拉伸应力型金属材料；第二类型晶体管为P-MOS晶体管，第二金属材料为压缩应力型金属材料。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，

第一宽度的范围为20-50nm；

第二宽度的范围为30-100nm。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，

连接孔的深度为500埃-2000埃。