[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，半导体装置的小型化、布线的微细化有日益发展的趋势，在狭小的半导体芯片区域(以俯视透视半导体芯片的情况下为与半导体芯片重叠的区域)中必须配置更多的I/O衬垫和通孔，同时针孔密度也提高。进而，在BGA(Ball Grid Array)封装体中，由于在半导体芯片区域内形成有多个端子，并且用于形成其他的要素的区域受到限制，所以采用在半导体封装体基板上由端子至半导体芯片区域的外侧引出布线的方法。

在这样的状況下，分别对应于半导体装置的小型化和布线的微细化时，因制造线路的增设或制造顺序的复杂化等会导致生产效率降低，也变得无法适应低成本化要求。

与此相对，还提出了为了半导体封装体制作的低成本化，而在支撑体上配置被单片化的多个芯片，一次性进行树脂密封形成封装体的方法。例如，专利文献1中，采用形成在支撑体上的热敏性胶黏剂上排列单片化后的多个芯片，以覆盖芯片和热敏性胶黏剂的方式形成塑料制的共用载体后，利用加热剥离埋设了芯片的共用载体和热敏性胶黏剂的方法。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7,202,107号

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1的半导体装置的制造方法中，由于共用载体的制作中使用热敏性胶黏剂，所以进行高温处理时受到限制，同时需要加热-放热的循环，因此从生产效率或半导体装置的制造设计的自由度的提高方面出发，具有改善的余地。

因此，本发明的目的在于提供能够提高生产效率或半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人等进行了精心研究，结果发现通过配置半导体芯片的新型的支撑结构和利用该支撑结构的工艺能够解决上述课题，并完成了本发明。

即，本发明为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序，以上述第1热固化型树脂层和上述半导体芯片的第1主面对置的方式在上述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖上述多个的半导体芯片的方式在上述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，从上述支撑体侧照射放射线而使上述放射线固化型粘合剂层固化，由此在上述放射线固化型粘合剂层和上述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

该制造方法中，利用在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1的热硬化型树脂层的支撑结构，利用第1热固化型树脂层对预先形成有半导体芯片的导通构件的第1主面进行保护，然后利用放射线固化型粘合剂层的放射线固化在第1热固化型树脂层之间实现剥离容易性，因此也不需要加热-放热循环，另外，能够有效地适应各种类型的半导体装置(封装体)的制作。

在该制造方法中，上述第1热固化型树脂层在50℃～200℃下的最低熔融粘度优选为5×10²Pa·s以上1×10⁴Pa·s以下。通过第1热固化型树脂层具有特定范围的最低熔融粘度，可以使半导体芯片中的导通构件在第1热固化型树脂层埋入性提高，同时可以防止在第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层时，配置在第1热固化型树脂层上的半导体芯片的位置偏移。

在该制造方法中，上述第2热固化型树脂层优选为片状热固化型树脂层。若第2热固化型树脂层为片状，则在半导体芯片的被覆中不仅可以贴付于第1热固化型树脂上，且可以埋设半导体芯片，可以使半导体装置的生产效率提高。

上述第2热固化型树脂层优选为由环氧树脂、酚醛树脂、填料及弹性体形成。由于上述第2热固化型树脂层利用这样的成分形成，所以在第1的固化型树脂层上贴付时，可以良好地埋入半导体芯片。

上述多个半导体芯片向上述第1热固化型树脂层上配置时，优选为上述导通构件露出至上述第1热固化型树脂层和上述放射线固化型粘合剂层的界面。由此，剥离放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层时，使上述导通构件露出于第1热固化型树脂层的表面，并不需要为了与导通构件连接所包含的再布线，而再一次研削第1热固化型树脂层等而使导通构件露出，因此可以使半导体装置的制造效率提高。