[发明专利]一种磁随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁随机存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供前端器件，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区；

步骤S102：在所述前端器件上形成覆盖所述金属线的金属线保护层、覆盖所述对准标记的对准标记保护层、覆盖所述交叠标记的交叠标记保护层，其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料均为透明导电材料；

步骤S103：在所述前端器件上形成平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间；

步骤S104：在所述前端器件的核心区形成磁隧道结，所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接。

2.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：

在所述前端器件上形成一层导电材料层；

在所述前端器件上形成一层图形化的光刻胶，其中，所述金属线、对准标记和交叠标记的上方保留有光刻胶；

刻蚀去除所述透明导电材料层未被所述图形化的光刻胶所覆盖的部分；

去除所述图形化的光刻胶。

3.如权利要求1或2所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的材料为同一材料，且该材料为铝铜合金。

4.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

通过高密度等离子体沉积工艺在所述前端器件上形成一层平坦化薄膜；

通过化学机械抛光工艺对所述平坦化薄膜进行抛光处理，去除所述平坦化薄膜位于所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层的上表面的部分。

5.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：

在所述前端器件上形成一层磁隧道结材料层，所述磁隧道结材料层包括位于所述核心区的部分和位于所述交叠标记区的部分；

对所述磁隧道结材料层进行刻蚀处理，在所述核心区形成磁隧道结。

6.如权利要求5所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，在形成磁隧道结的同时，还在所述交叠标记区形成磁隧道结校准标记。

7.如权利要求1所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103和步骤S104之间，还包括刻蚀划线槽的步骤。

8.如权利要求7所述的磁随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀划线槽的步骤包括：

在所述前端器件上形成一层图案化的另一光刻胶，所述另一光刻胶覆盖所述核心区和交叠标记区并覆盖所述对准标记区的对准标记；

利用所述另一光刻胶为掩模进行刻蚀，在所述对准标记区的平坦化层上刻蚀出划线槽。

9.一种磁随机存取存储器，包括前端器件和磁隧道结，所述前端器件包括形成有金属线的核心区、形成有对准标记的对准标记区和形成有交叠标记的交叠标记区，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括位于所述金属线的上方形成有金属线保护层、位于所述对准标记的上方的对准标记保护层以及位于所述交叠标记的上方的交叠标记保护层；所述磁隧道结位于所述金属线保护层的上方并通过所述金属线保护层与所述金属线相连接；其中，所述金属线保护层、对准标记保护层和交叠标记保护层均为透明导电材料。

10.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述金属线保护层，对准标记保护层和交叠标记保护层为同一材料，且所采用的材料为铝铜合金。

11.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述对准标记位于所述磁随机存取存储器的划线槽区域。

12.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括平坦化层，所述平坦化层位于同一层中的相邻的所述金属线保护层、对准标记保护层以及交叠标记保护层之间。

13.如权利要求9所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括设置于所述交叠标记区的磁隧道结校准标记。