[发明专利]一种基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料及其制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料，其特征是，包括多空金属和聚合到金属表面的噻吩系列导电聚合物。

2.如权利要求1所述基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料，其特征是，所述噻吩系列导电聚合物为聚3，4乙烯二氧噻吩、聚噻吩、聚3-辛基噻吩或聚3-甲基噻吩。

3.如权利要求1所述基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料，其特征是，所述多空金属为多孔金或多孔镍。

4.如权利要求1所述基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料，其特征是，所述多空金属为多孔金，噻吩系列导电聚合物为聚3，4乙烯二氧噻吩，所述多孔金和聚3，4乙烯二氧噻吩的质量比为0.34-1.86。

5.如权利要求1所述的基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，其特征是，包括如下步骤：

1）脱合金法制备纳米多孔金属；

2）配制溶液；

3）采用循环伏安法对电极进行活化；

4）电聚合；

所述多孔金属为金；所述导电聚合物为聚3，4乙烯二氧噻吩。

6.如权利要求5所述的基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，其特征是，所述步骤1）中，在20℃-35℃下，用浓硝酸对纳米级的金银合金薄片进行腐蚀，腐蚀20min-40min，以制取纳米多孔金；将纳米多孔金置于玻碳电极上，充分干燥2h-3h。

7.如权利要求5所述的基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，其特征是，所述步骤2）中，配制浓度为0.05mol/L-0.2mol/L的高氯酸锂乙腈溶液，加入320μL的3，4乙烯二氧噻吩单体，获得电聚合所需的单体溶液。

8.如权利要求5所述的基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，其特征是，所述步骤3）中，电压窗口控制在-0.5V到1.5V之间的某个区间上，扫描速度为80-100mV/s。

9.如权利要求5所述的基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，其特征是，所述步骤4）中，采用循环伏安法，电压窗口控制在-0.7V到1.5V之间，扫描速度为40-60mV/s，分别选择聚合不同的圈数以找到最佳聚合量；聚合完成以后进行一次恒电位扫描。