[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210356068.4 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681506A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈振兴;叶彬;何凤英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
a)提供具有隔离结构的半导体衬底，所述隔离结构将所述半导体衬底分为NMOS区和PMOS区，且所述半导体衬底上形成有栅极结构；
b)在所述栅极结构的两侧形成第一侧壁；
c)在所述半导体衬底上依次形成第二侧壁氧化物层和具有高应力的氮化物层；
d)去除所述具有高应力的氮化物层，在所述半导体衬底上形成另一氮化物层；
e)蚀刻所述另一氮化物层，
其中，所述氧化物层和所述另一氮化物层共同构成所述第一侧壁外侧的第二侧壁。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧壁由单层材料构成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一侧壁的构成材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤b)之后还包括以下步骤：先在所述NMOS区形成轻掺杂源/漏区；再在所述PMOS区形成另一轻掺杂源/漏区和嵌入式锗硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层为掺杂氮的氧化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤c)之后还包括执行退火的步骤，以完成第一次应力记忆。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述退火为快速热退火、炉腔退火或激光峰值退火。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在实施所述退火步骤之前，还包括将位于所述PMOS区上的具有高应力的氮化物层去除的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述去除过程包括以下步骤：先在所述半导体衬底上形成图案化的光刻胶层，以遮蔽所述NMOS区；再以所述光刻胶层为掩膜，采用干法蚀刻工艺蚀刻暴露出来的所述具有高应力的氮化物层；最后，去除所述光刻胶层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤e)之后还包括执行重掺杂离子注入的步骤，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤e)之后还包括步骤f)：在所述半导体衬底上形成另一具有高应力的氮化物层。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述步骤f)之后还包括执行另一退火的步骤，以完成第二次应力记忆。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
