[发明专利]制造印刷电路板的方法和使用该方法制造的印刷电路板无效

专利信息
申请号: 201210355736.1 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103025068A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 权纯喆;李相旻 申请(专利权)人: 三星泰科威株式会社
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;H05K1/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 印刷 电路板 方法 使用
【说明书】:

本申请要求于2011年9月21日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0095269号韩国专利申请的优先权,该申请的公开完全包含于此,以资参考。

技术领域

与示例性实施例一致的方法和装置涉及一种印刷电路板(PCB),更具体地讲,涉及一种制造具有一体地形成的通孔和精细电路的PCB的方法以及一种使用该方法制造的PCB。

背景技术

近年来,随着电子产业的快速发展,已开发了涉及电子装置和电路板的各种技术。具体地讲,根据电子产品轻质、薄、短且小的趋势,PCB已呈现出精细间距并变得小且薄。

根据如上所述的技术趋势,使用激光沟槽加工方法或压印方法一体地形成层间导电通孔和精细电路,在韩国专利登记号10-1109323中对此进行了公开。

在如上所述并且在图1中示出的制造方法中,形成图案(S10),执行非电解镀铜(S20)和电解镀铜(S30),并且执行平面化工艺(S40),以在PCB中形成通孔和精细电路。

在下文中,将详细描述根据现有技术的相应的方法的步骤。

图2A至图2D示出了制造具有一体地形成的通孔和精细电路的PCB的现有技术的LTP方法,图3A至图3D示出了制造具有一体地形成的通孔和精细电路的PCB的现有技术的压印方法。

在LTP方法中,如图2A至图2D所示,使用诸如准分子激光器的精细电路形成装置来去除介电层的将要形成有电路图案的表面以形成图案(图2A),执行镀铜(图2B和2C)以形成金属层,并且执行平面化工艺(图2D)以完成电路。

在压印方法中,如图3A至图3D所示,在处于压纹状态的模具中形成将形成在基板处的电路图案,并且压纹的模具挤压基板的介电层以转印电路(图3A)。接着,执行镀铜(图3B和图3C)以形成金属层,并执行平面化工艺(图3D)以完成电路。

然而,在以一体的方式在PCB形成通孔和精细电路的现有技术的LTP方法中,去除将要形成有精细电路图案的部分,这增加了用于大尺寸PCB的处理时间。在以一体的方式在PCB形成通孔和精细电路的现有技术的压印方法中,以压纹的状态形成具有通孔和精细电路的高价模具,这增加了制造和加工成本。另外,由于施加到模具的高压力可能会导致高价模具的寿命缩短。此外,在将空气捕获在模具的粗糙部分中的情况下,可能会出现缺陷。另外,在LTP方法和压印方法这两种方法中,需要镀铜工艺来形成金属层,这可以导致镀铜缺陷,从而限制了生产率。

发明内容

提供示例性实施例以解决上述问题,并且示例性实施例提供了一种制造具有一体地形成的通孔和精细电路的PCB的方法,而无需镀Cu工艺来形成另外的金属层。

根据示例性实施例的一个方面,提供了一种制造电路板的方法,该方法包括:(a)提供由导电材料制成的基板;(b)对基板的除了将形成有至少一个通孔的区域之外的第一表面进行蚀刻;(c)对基板的蚀刻后的第一表面的区域进行蚀刻,在该区域中将形成第一电路图案的绝缘部分;(d)将第一绝缘层堆叠在通过操作(b)和操作(c)中执行蚀刻而形成的空间内;(e)研磨基板的第二表面,以使第一绝缘层与第一电路图案一起暴露在外,从而形成电路板。

操作(b)可以包括:(b1)将光致抗蚀层涂覆到基板的第一表面;(b2)曝光并显影将形成有所述至少一个通孔的第一光致抗蚀层;(b3)使用第一光致抗蚀层蚀刻第一表面。

操作(b)还可以包括:(b4)去除第一光致抗蚀层。

操作(c)可以包括:(c1)将第二光致抗蚀层涂覆到基板的蚀刻后的第一表面;(c2)曝光并显影将形成有第一电路图案的第二光致抗蚀层;(c3)使用第二光致抗蚀层对蚀刻后的第一表面进行蚀刻。

在操作(c1),第二光致抗蚀层可以由干膜抗蚀剂(DFR)或者电沉积光阻剂(EDPR)形成。

在操作(c2),第二光致抗蚀层可以使用激光直接成像(LDI)而被曝光。

操作(c)还可以包括:(c4)去除第二光致抗蚀层。

在操作(d),第一介电层可以由半固化片形成。

制造电路板的方法还可以包括:(f)在基板的在通过操作(b)和操作(c)中执行蚀刻而形成的空间内堆叠有第一绝缘层的第一表面上形成第二电路图案。

在操作(f),可以使用从由封孔工艺、全板/线路电镀工艺、半加成工艺、改良型半加成工艺、高阶改良型半加成工艺和全加成工艺组成的组中选择的任意一种工艺来形成第二电路图案。

操作(f)可以包括:当形成第二电路图案时,在基板的形成有第一电路图案的面上完全形成第五光致抗蚀剂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星泰科威株式会社,未经三星泰科威株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210355736.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top