[发明专利]一种像素驱动电路

说明书

技术领域

 本发明有关一种像素电路，特别是指一种能够使有源矩阵有机发光显示器（AMOLED，Active Matrix Organic Light Emitting Diode）亮度更加均匀的AMOLED像素驱动电路。

背景技术

有机发光二极管（OLED ）是主动发光器件，相比现在的主流平板显示技术薄膜场效应晶体管液晶显示器（TFT -LCD ) , OLED具有对比度高，视角广，功耗低及体积更薄等优点，有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。

对主动有机发光显示器（AMOLED）而言，图1为现有技术的像素电路示意图，图2为现有技术像素电路的工作时序图，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）产生的电流的大小来决定，以PTFT为例，OLED的驱动电流Ie由下式计算 

Ie=(1/2)*u*Cox*(W/L)*(Vsg+Vth)²                 (1)                              

其中，Vth是负值，u是载流子迁移率，Cox是单位面积电容，W/L是驱动TFT的宽长比，Vsg是驱动TFT的源极与栅极之间的电压差，Vth是驱动TFT的阈值电压。 

在LTPS（Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅）工艺中，需要经过一道激光结晶的步骤，由于激光的宽度有限，无法一次同时扫描所有像素的TFT，因此需要通过多次的激光结晶步骤，方能将所有像素的TFT扫描过一次，但是每次激光的强度无法完全相同，因此在激光扫描不同的位置时，接受到的激光能量将会有所不同，进而使得不同时间被照射的TFT具有不同的阈值电压，这样使得每个像素中驱动OLED发光的电流不同，也造成不同的亮度，使得像素之间的亮度不一致，屏体一致性受到严重影响。因此，这种电路欲制作出均匀发光的显示面板十分困难。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种像素之间亮度一致、屏体一致性良好的像素驱动电路。

为达到上述目的，本发明提供一种像素驱动电路，其包括有第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一TFT管T3的栅极和一TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一TFT管T5的栅极、一TFT管T2的栅极、一TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的源极；该TFT管T4的源极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容C1的一端，该电容C1的另一端连接至一TFT管T1的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的源极和TFT管T4的漏极；该TFT管T1的源极连接至TFT管T2的漏极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至TFT管T1的漏极和TFT管T5的漏极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。

所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管T1、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。

所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。

本发明还提供一种像素驱动电路，其包括第一扫描线、第二扫描线及一数据线，该第一扫描线连接至一TFT管T3的栅极和一TFT管T4的栅极，该第二扫描线连接至一TFT管T5的栅极、一TFT管T2的栅极、一TFT管T6的栅极和一电容C2的一端；该数据线连接至该TFT管T2的漏极；该TFT管T4的漏极连接一基准电压线，该TFT管T6的漏极连接一VDD线，该VDD线连接一电容C1的一端，该电容C1的另一端连接至一TFT管T1的栅极、电容C2的另一端、TFT管T5的漏极和TFT管T4的源极；该TFT管T1的源极连接至TFT管T2的源极和TFT管T6的源极，该TFT管T3的漏极连接至该TFT管T1的漏极和TFT管T5的源极，该TFT管T3的源极连接至一有机发光二极管的阳极，该有机发光二极管的阴极连接至负电压VSS。

所述TFT管T3和TFT管T6是N沟道薄膜场效应晶体管，所述TFT管T1、TFT管T2、TFT管T4与TFT管T5均为P沟道薄膜场效应晶体管。

所述基准电压线的电压为负电压，该电压低于所述数据线的最小电压。