[发明专利]带有无线SAW温度传感器的功率半导体模块有效
申请号: | 201210353473.0 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022013A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | M.斯莱文 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 无线 saw 温度传感器 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块,包括:
外罩;
被置放在所述外罩中的底板;
被安装到所述底板的多个基板;
被安装到所述基板的多个功率晶体管管芯;
被安装到所述基板并且通过所述外罩突出的多个端子,所述端子与所述功率晶体管管芯电连接;和
被置放在所述功率半导体模块的所述外罩中的无线表面声波(SAW)温度传感器。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器被联结到所述底板。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器被联结到所述基板之一。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器被联结于此的所述基板包括被置入第一和第二金属化层之间的陶瓷材料,并且所述无线SAW温度传感器被联结到所述金属化层之一。
5.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器被联结于此的所述基板包括被置入第一和第二金属化层之间的陶瓷材料,并且所述无线SAW温度传感器在被置放在所述基板的所述陶瓷材料上的电介质上包括叉指式转换器。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器被联结到所述端子之一。
7.根据权利要求1所述的功率半导体模块,进一步包括被置放在所述外罩中的一个或者多个另外的无线SAW温度传感器。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其中所述无线SAW温度传感器是无动力的并且能够操作用于接收RF脉冲信号并且作为所述RF脉冲信号和所述无线SAW温度传感器的温度的函数输出RF响应信号。
9.一种功率半导体组件,包括:
功率半导体模块,所述功率半导体模块包括:
外罩;
被置放在所述外罩中的底板;
被安装到所述底板的多个基板;
被安装到所述基板的多个功率晶体管管芯;
被安装到所述基板并且通过所述外罩突出的多个端子,所述端子与所述功率晶体管管芯电连接;和
被置放在所述功率半导体模块的所述外罩中的无线表面声波(SAW)温度传感器;
电路板,所述电路板被安装到所述外罩并且具有接收从所述外罩突出的所述端子的多个电连接器;和
RF收发器电路,所述RF收发器电路被安装到所述电路板并且被配置为向所述无线SAW温度传感器发射RF脉冲并且接收由所述无线SAW温度传感器响应于所述RF脉冲产生的RF响应信号。
10.根据权利要求9所述的功率半导体组件,进一步包括被安装到所述电路板并且被电连接到所述RF收发器电路的控制器,所述控制器被配置为将由所述RF收发器电路接收的所述RF响应信号转换成温度数据。
11.根据权利要求10所述的功率半导体组件,其中所述控制器进一步被配置为基于所述温度数据控制所述功率半导体模块的操作。
12.根据权利要求10所述的功率半导体组件,其中所述控制器进一步被配置为向远离所述功率半导体子组件的实体报告所述温度数据。
13.根据权利要求10所述的功率半导体组件,其中能够从所述功率半导体子组件外侧远程地控制所述控制器。
14.根据权利要求10所述的功率半导体组件,其中所述控制器被配置为控制用于产生所述RF脉冲的所述RF收发器电路的振荡器。
15.根据权利要求9所述的功率半导体组件,其中所述RF收发器电路包括被置放在所述电路板上的天线。
16.根据权利要求15所述的功率半导体组件,其中所述天线是作为所述电路板的一个部分形成的导线或者带状线。
17.根据权利要求15所述的功率半导体组件,其中所述天线被以10cm或者更小从所述RF收发器电路隔开。
18.根据权利要求15所述的功率半导体组件,其中所述天线被以在5cm和10cm之间从所述RF收发器电路隔开。
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